[发明专利]半导体装置和显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括薄膜晶体管，所述半导体装置的特征在于，包括：

形成在基板之上的、所述薄膜晶体管的栅极电极；

形成在所述栅极电极之上的栅极绝缘层；

形成在所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；

形成在所述氧化物半导体层之上的、所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极；

形成在所述氧化物半导体层、所述源极电极和所述漏极电极之上的保护层；

形成在所述保护层之上的供氧层；和

形成在所述供氧层之上的扩散防止层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述供氧层为包括含有水（H₂O）、OR基或OH基的材料的层。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

所述供氧层包括丙烯酸树脂、SOG材料、硅树脂、酯聚合树脂或者含有硅烷醇基、CO-OR基或Si-OH基的树脂。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述供氧层的厚度处于500nm～3500nm的范围。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述扩散防止层包括氧化硅、氮化硅或氧氮化硅。

6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述扩散防止层的厚度处于50nm～500nm的范围。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述保护层包括氧化硅或氮化硅。

8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，包括：

由与所述栅极电极相同的材料形成的下部配线；

由与所述源极电极和所述漏极电极相同的材料形成的上部配线；和

连接所述上部配线与所述下部配线的连接部，

在所述连接部，所述上部配线与所述下部配线经贯通所述栅极绝缘层的接触孔连接。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于：

在所述连接部，所述接触孔以贯通氧化物半导体层和所述栅极绝缘层的方式形成，所述上部配线与所述下部配线经所述接触孔连接。

10.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于：

所述连接部具有：

形成在所述下部配线之上的绝缘层；

形成在所述绝缘层之上的上部配线；

形成在所述上部配线之上的保护层；

形成在所述保护层之上的供氧层；

形成在所述供氧层之上的扩散防止层；和

形成在所述扩散防止层之上的导电层，

以贯通所述连接部的所述绝缘层、所述上部配线、所述保护层、所述供氧层和所述扩散防止层的方式形成有接触孔，

所述下部配线经形成在所述接触孔内的所述导电层与所述上部配线电连接。

11.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于：

所述连接部具有：

形成在所述下部配线之上的绝缘层；

形成在所述绝缘层之上的所述上部配线；

形成在所述上部配线之上的保护层；

形成在所述保护层之上的供氧层；

形成在所述供氧层之上的扩散防止层；和

形成在所述扩散防止层之上的导电层，

以贯通所述连接部的所述保护层、所述供氧层和所述扩散防止层的方式形成有第一接触孔，

以贯通所述连接部的所述绝缘层、所述保护层、所述供氧层和所述扩散防止层的方式形成有第二接触孔，

在所述第一接触孔内，所述上部配线与所述导电层电连接，

在所述第二接触孔内，所述下部配线与所述导电层电连接。

12.如权利要求1至11中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

包括辅助电容，

所述辅助电容具有：

由与所述栅极电极相同的材料形成的辅助电容电极；

在所述辅助电容电极之上以与所述辅助电容电极接触的方式形成的所述扩散防止层；和

形成在所述扩散防止层之上的辅助电容对置电极。