[发明专利]氮化镓烧结体或氮化镓成形物以及它们的制造方法有效

专利信息
申请号: 201180061618.3 申请日: 2011-12-20
公开(公告)号: CN103270000A 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 召田雅实;松丸庆太郎;高桥小弥太;菊池僚;涩田见哲夫 申请(专利权)人: 东曹株式会社
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58;C04B41/88;C23C14/34
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 氮化 烧结 成形 以及 它们 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种氮化镓烧结体,其特征在于,该氮化镓烧结体的密度为2.5g/cm3以上且低于5.0g/cm3,基于X射线衍射测定的氧化镓的(002)面的峰相对于氮化镓的(002)面的峰强度比低于3%。

2.根据权利要求1所述的氮化镓烧结体,其特征在于,其含有11atm%以下的氧量。

3.根据权利要求1或2所述的氮化镓烧结体,其特征在于,所述氮化镓烧结体中包含的空隙具有开气孔和闭气孔,所述开气孔相对于所述空隙的总体积的体积率为70%以上。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的氮化镓烧结体,其特征在于,所述烧结体在所述烧结体中包含的空隙的至少一部分包含金属镓,所述氮化镓和所述金属镓在所述烧结体中以各自的相的形式存在,以及所述烧结体整体中的Ga/(Ga+N)的摩尔比为55%以上且80%以下。

5.根据权利要求4所述的氮化镓烧结体,其特征在于,所述空隙的总体积的30%以上被金属镓填满。

6.根据权利要求4或5所述的氮化镓烧结体,其特征在于,其具有3.20g/cm3以上且低于6.05g/cm3的密度。

7.根据权利要求4~6中任一项所述的氮化镓烧结体,其特征在于,其具有1Ω·cm以下的电阻值。

8.一种权利要求1~3中任一项所述的氮化镓烧结体的制造方法,其特征在于,其包括:将比表面积(BET)为0.4m2/g以上且15m2/g以下、松装密度为0.4g/cm3以上以及静止角为40°以下的氮化镓粉末焙烧而获得烧结体的工序;以及在包含氨的气氛下对所述烧结体进行加热处理的工序。

9.根据权利要求8所述的氮化镓烧结体的制造方法,其特征在于,所述氮化镓粉末是将氧化镓粉末在氨气氛下以1000~1100℃进行氮化处理而得到的。

10.一种权利要求4~7中任一项所述的氮化镓烧结体的制造方法,其特征在于,其包括:使液态的金属镓浸透到权利要求1~3中任一项所述的氮化镓烧结体中的工序。

11.根据权利要求10所述的氮化镓烧结体的制造方法,其特征在于,使液态的金属镓浸透到所述氮化镓烧结体中的工序包括:将所述氮化镓烧结体和所述金属镓在相同容器内进行真空处理,然后对所述容器施加等静压的工序。

12.一种金属镓浸透氮化镓成形物,其特征在于,其包含以各自的相的形式存在的氮化镓相和金属镓相,Ga/(Ga+N)的摩尔比为55%以上且80%以下。

13.根据权利要求12所述的金属镓浸透氮化镓成形物,其特征在于,所述成形物中包含的空隙的总体积的30%以上被所述金属镓填满。

14.根据权利要求12或13所述的金属镓浸透氮化镓成形物,其特征在于,其具有3.20g/cm3以上且低于6.05g/cm3的密度。

15.根据权利要求12~14中任一项所述的金属镓浸透氮化镓成形物,其特征在于,其具有1Ω·cm以下的电阻值。

16.根据权利要求12~15中任一项所述的金属镓浸透氮化镓成形物,其特征在于,其含有11atm%以下的氧量。

17.根据权利要求12~16中任一项所述的金属镓浸透氮化镓成形物,其特征在于,所述氮化镓相具有2.5g/cm3以上且低于5.0g/cm3的密度,且具有基于X射线衍射测定的氧化镓的(002)面的峰相对于氮化镓的(002)面的峰强度比低于3%的组成。

18.根据权利要求12~17中任一项所述的金属镓浸透氮化镓成形物,其特征在于,所述成形物中包含的空隙具有开气孔和闭气孔,所述开气孔相对于所述空隙的总体积的体积率为70%以上。

19.一种权利要求12~18中任一项所述的金属镓浸透氮化镓成形物的制造方法,其特征在于,其包括使液态的金属镓浸透到具有2.0g/cm3以上且低于5.0g/cm3的密度的氮化镓成形物中的工序。

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