[发明专利]氮化镓烧结体或氮化镓成形物以及它们的制造方法有效
申请号: | 201180061618.3 | 申请日: | 2011-12-20 |
公开(公告)号: | CN103270000A | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 召田雅实;松丸庆太郎;高桥小弥太;菊池僚;涩田见哲夫 | 申请(专利权)人: | 东曹株式会社 |
主分类号: | C04B35/58 | 分类号: | C04B35/58;C04B41/88;C23C14/34 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 烧结 成形 以及 它们 制造 方法 | ||
1.一种氮化镓烧结体,其特征在于,该氮化镓烧结体的密度为2.5g/cm3以上且低于5.0g/cm3,基于X射线衍射测定的氧化镓的(002)面的峰相对于氮化镓的(002)面的峰强度比低于3%。
2.根据权利要求1所述的氮化镓烧结体,其特征在于,其含有11atm%以下的氧量。
3.根据权利要求1或2所述的氮化镓烧结体,其特征在于,所述氮化镓烧结体中包含的空隙具有开气孔和闭气孔,所述开气孔相对于所述空隙的总体积的体积率为70%以上。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的氮化镓烧结体,其特征在于,所述烧结体在所述烧结体中包含的空隙的至少一部分包含金属镓,所述氮化镓和所述金属镓在所述烧结体中以各自的相的形式存在,以及所述烧结体整体中的Ga/(Ga+N)的摩尔比为55%以上且80%以下。
5.根据权利要求4所述的氮化镓烧结体,其特征在于,所述空隙的总体积的30%以上被金属镓填满。
6.根据权利要求4或5所述的氮化镓烧结体,其特征在于,其具有3.20g/cm3以上且低于6.05g/cm3的密度。
7.根据权利要求4~6中任一项所述的氮化镓烧结体,其特征在于,其具有1Ω·cm以下的电阻值。
8.一种权利要求1~3中任一项所述的氮化镓烧结体的制造方法,其特征在于,其包括:将比表面积(BET)为0.4m2/g以上且15m2/g以下、松装密度为0.4g/cm3以上以及静止角为40°以下的氮化镓粉末焙烧而获得烧结体的工序;以及在包含氨的气氛下对所述烧结体进行加热处理的工序。
9.根据权利要求8所述的氮化镓烧结体的制造方法,其特征在于,所述氮化镓粉末是将氧化镓粉末在氨气氛下以1000~1100℃进行氮化处理而得到的。
10.一种权利要求4~7中任一项所述的氮化镓烧结体的制造方法,其特征在于,其包括:使液态的金属镓浸透到权利要求1~3中任一项所述的氮化镓烧结体中的工序。
11.根据权利要求10所述的氮化镓烧结体的制造方法,其特征在于,使液态的金属镓浸透到所述氮化镓烧结体中的工序包括:将所述氮化镓烧结体和所述金属镓在相同容器内进行真空处理,然后对所述容器施加等静压的工序。
12.一种金属镓浸透氮化镓成形物,其特征在于,其包含以各自的相的形式存在的氮化镓相和金属镓相,Ga/(Ga+N)的摩尔比为55%以上且80%以下。
13.根据权利要求12所述的金属镓浸透氮化镓成形物,其特征在于,所述成形物中包含的空隙的总体积的30%以上被所述金属镓填满。
14.根据权利要求12或13所述的金属镓浸透氮化镓成形物,其特征在于,其具有3.20g/cm3以上且低于6.05g/cm3的密度。
15.根据权利要求12~14中任一项所述的金属镓浸透氮化镓成形物,其特征在于,其具有1Ω·cm以下的电阻值。
16.根据权利要求12~15中任一项所述的金属镓浸透氮化镓成形物,其特征在于,其含有11atm%以下的氧量。
17.根据权利要求12~16中任一项所述的金属镓浸透氮化镓成形物,其特征在于,所述氮化镓相具有2.5g/cm3以上且低于5.0g/cm3的密度,且具有基于X射线衍射测定的氧化镓的(002)面的峰相对于氮化镓的(002)面的峰强度比低于3%的组成。
18.根据权利要求12~17中任一项所述的金属镓浸透氮化镓成形物,其特征在于,所述成形物中包含的空隙具有开气孔和闭气孔,所述开气孔相对于所述空隙的总体积的体积率为70%以上。
19.一种权利要求12~18中任一项所述的金属镓浸透氮化镓成形物的制造方法,其特征在于,其包括使液态的金属镓浸透到具有2.0g/cm3以上且低于5.0g/cm3的密度的氮化镓成形物中的工序。
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