[发明专利]薄膜太阳能电池的制造方法及薄膜太阳能电池

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜太阳能电池的制造方法及薄膜太阳能电池。

背景技术

作为公开薄膜太阳能电池的制造方法的现有文献，有日本特开2000-114555号公报（专利文献1）。在专利文献1所记载的薄膜太阳能电池的制造方法中，首先，在玻璃基板上形成透明电极层。接着，通过对透明电极层进行激光刻划来形成布线图案。形成布线图案的透明电极层被分割成多个区域，各区域具有长条状的形状，并且彼此电气性绝缘。

之后，测定在透明电极层中邻接的区域之间的分离电阻，从而确定邻接的区域之间已经绝缘。此时，使用于测量分离电阻的接触端子与透明电极层直接接触来进行测定。在测定分离电阻后，在透明电极层上层积光电转换层等来制造薄膜太阳能电池。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-114555号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在薄膜太阳能电池中，形成有对发电起作用的发电区域和对发电不起作用的非发电区域。在现有的薄膜太阳能电池中，接触端子直接接触的那部分透明电极层位于发电区域内。

本发明人发现，在接触端子直接接触的那部分透明电极层附近，与其他部分相比发生漏电的比例高。在薄膜太阳能电池的制造方法中，包括施加反偏压来确认发生漏电的部分的发热的工序。另外，还包括修复或者除去已确认的漏电发生部位的工序。但是，如果发生漏电的部分多，则通过修复或者除去漏电部分而在薄膜太阳能电池产品中残留漏电发生部位的可能性就增高。包括漏电发生部位的薄膜太阳能电池的特性降低。

本发明是鉴于上述问题而做出的，其目的在于提供一种减少漏电的发生并具有稳定特性的薄膜太阳能电池的制造方法及薄膜太阳能电池。

用于解决技术问题的方法

基于本发明的薄膜太阳能电池的制造方法包括：在形成于基板上的第一电极层形成第一分离槽部，从而形成各自电气性独立的多个第一电极部的工序；使测定端子分别与多个第一电极部中的彼此邻接的第一电极部接触，从而确定邻接的第一电极部彼此之间的绝缘性的绝缘试验工序。另外，薄膜太阳能电池的制造方法包括：在第一电极层上形成光电转换层的工序；在光电转换层形成接触线用槽部的工序。而且，薄膜太阳能电池的制造方法包括：在光电转换层上形成第二电极层，并且在接触线用槽部内形成将第一电极层与第二电极层连接的接触线的工序；至少在第二电极层形成第二分离槽部的工序；形成从第二电极层达到第一电极层的、将发电区域与非发电区域分开的第三分离槽部的工序。在薄膜太阳能电池的制造方法中，在第一电极部中，测定端子所接触的区域包含在非发电区域内。

在本发明一方式中，通过蚀刻形成第三分离槽部。

优选的是，依次层积p型半导体层、i型半导体层及n型半导体层而形成光电转换层。

基于本发明的薄膜太阳能电池包括：基板；形成在基板上的第一电极层；形成在第一电极层上的光电转换层；形成在光电转换层上的第二电极层；将第一电极层分开的第一分离槽部。另外，薄膜太阳能电池包括：将第一电极层与第二电极层连接的接触线；至少将第二电极层分开的第二分离槽部；第三分离槽部，其从第二电极层达到第一电极层，将发电区域与非发电区域分开。第一电极层包括被第一分离槽部分开且各自电气性独立的多个第一电极部。多个第一电极部分别具有与测定端子接触的接触区域，所述测定端子为确认相互邻接的第一电极部彼此之间的绝缘性而抵接。接触区域位于非发电区域内。

在本发明一方式中，在接触区域中，存在不与第三分离槽部的形成区域重叠的部分。

优选的是，光电转换层具有依次层积有p型半导体层、i型半导体层及n型半导体层的层积结构。

优选的是，非发电区域以包围在发电区域的周围的方式设置，非发电区域的内边缘位于距基板的边缘6.4mm以上、30mm以下的范围内。

发明效果

根据本发明，能够减少漏电的发生并使薄膜太阳能电池的特性稳定。

附图说明

图1是表示本发明实施方式1的薄膜太阳能电池的制造方法的工序的流程图。

图2是表示上述实施方式的基板的外观的俯视图。

图3是从图2的A-A’线箭头方向观察的图。

图4是从图2的B-B’线箭头方向观察的图。

图5是从图2所示的A-A’线箭头方向观察S101工序前的基板状态的图。

图6是从图2所示的B-B’线箭头方向观察S101工序前的基板状态的图。

图7是表示将基板支承在激光加工装置上的状态的剖视图。