[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材，以及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的半导体层用氧化物，其是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其特征在于，

所述氧化物含有In、Zn、和选自Al、Si、Ta、Ti、La、Mg及Nb中的至少一种元素即X组元素。

2.根据权利要求1所述的氧化物，其中，将半导体层用氧化物中包含的In、Zn、X组元素以原子％计的含量分别设为[In]、[Zn]、[X]时，100×[X]/([In]+[Zn]+[X])所表示的X量为0.1～5原子％。

3.根据权利要求1所述的氧化物，将半导体层用氧化物中包含的In、Zn、X组元素以原子％计的含量分别设为[In]、[Zn]、[X]时，100×[In]/([In]+[Zn]+[X])所表示的In量为15原子％以上。

4.根据权利要求2所述的氧化物，将半导体层用氧化物中包含的In、Zn、X组元素以原子％计的含量分别设为[In]、[Zn]、[X]时，100×[In]/([In]+[Zn]+[X])所表示的In量为15原子％以上。

5.根据权利要求1所述的氧化物，其中，所述X组元素为Al、Ti或Mg。

6.一种薄膜晶体管，其具备权利要求1～5中任意一项所述的氧化物作为薄膜晶体管的半导体层。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体层的密度为6.0g/cm³以上。

8.一种显示装置，其具备权利要求6所述的薄膜晶体管。

9.一种有机EL显示装置，其具备权利要求6所述的薄膜晶体管。

10.一种溅射靶材，其是用于将权利要求1～5中任意一项所述的氧化物成膜的溅射靶材，其特征在于，

含有In、Zn、和选自Al、Si、Ta、Ti、La、Mg及Nb中的至少一种元素即X组元素。

11.根据权利要求10所述的溅射靶材，其中，将溅射靶材中包含的In、Zn、X组元素以原子％计的含量分别设为[In]、[Zn]、[X]时，100×[X]/([In]+[Zn]+[X])所表示的X量为0.1～5原子％。

12.根据权利要求10所述的溅射靶材，其中，将溅射靶材中包含的In、Zn、X组元素以原子％计的含量分别设为[In]、[Zn]、[X]时，100×[In]/([In]+[Zn]+[X])所表示的In量为15原子％以上。

13.根据权利要求10所述的溅射靶材，其中，所述X组元素为Al、Ti或Mg。