[发明专利]使用激光束刻蚀微电膜的方法无效
| 申请号： | 201180062005.1 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN103270615A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 安妮-洛雷·塞勒;穆罕默德·邦瓦迪赫 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/10 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 于未茗;宋志强 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 激光束 刻蚀 微电膜 方法 | ||
1.一种使用激光束进行刻蚀的方法，所述激光束具有预定波长，所述方法刻蚀第一材料的层（14）的区域（16），所述区域（16）被沉积在至少两种第二材料（10、12）的表面处，其特征在于，该方法包括：
在所述第一材料的层（14）上沉积第三材料的层（18），所述第一材料和所述第三材料在施加所述激光束时具有的化学亲和力大于所述施加期间在所述第一材料与所述至少两种第二材料中每种材料之间的化学亲和力；以及
使用使所述区域（16）分离的所述激光束的注量，向所述第三材料的层（18）的垂直地位于所述第一材料的层（14）的区域（16）上方的自由表面区域施加所述激光束。
2.根据权利要求1所述的使用激光束进行刻蚀的方法，其特征在于，所述激光是受激准分子激光。
3.根据权利要求1或2所述的使用激光束进行刻蚀的方法，其特征在于，所述第三材料的层（18）的厚度在1纳米与1微米之间的范围。
4.根据权利要求1、2或3所述的使用激光束进行刻蚀的方法，其特征在于，所述第三材料的层（18）的性质和厚度根据所述激光束的注量、所述第一材料的性质以及待分离的所述第一材料的区域（16）的厚度来选择。
5.根据前述权利要求中任一项所述的使用激光束进行刻蚀的方法，其特征在于，所述第一材料是有机半导体材料，并且所述第二材料分别是塑料材料和导电材料。
6.根据权利要求5所述的使用激光束进行刻蚀的方法，其特征在于，所述有机半导体材料是氟化物材料，并且所述导电材料是金属或导电聚合物，并且所述第三材料是氟化聚合物。
7.根据权利要求5或6所述的使用激光束进行刻蚀的方法，其特征在于，所述导电材料是金或PDOT。
8.根据权利要求5、6或7所述的使用激光束进行刻蚀的方法，其特征在于，所述第三材料是且/或所述第一材料是TIPS。
9.根据权利要求5至8中任一项所述的使用激光束进行刻蚀的方法，其特征在于，所述第三材料在施加所述激光束时与第一材料具有大于15kJ.mol-1的键焓。
10.根据权利要求8和9所述的使用激光束进行刻蚀的方法，其特征在于：
所述氟化聚合层（18）的厚度基本等于100纳米；
所述第一材料的层（14）的厚度基本等于100纳米；
所述导电材料的层的厚度基本等于30纳米；
所述激光束的注量低于50mJ/cm2；并且
通过所述激光束进行照射的时间基本等于30纳秒。
11.根据前述权利要求中任一项所述的使用激光束进行刻蚀的方法，其特征在于，所述第三材料比所述第一材料对激光束波长的吸收大。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于原子能与替代能源委员会，未经原子能与替代能源委员会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180062005.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于PEM燃料电池的改进型膜电极组件
- 下一篇：监测系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
