[发明专利]半色调掩模、半色调掩模坯料及半色调掩模的制造方法有效

专利信息
申请号: 201180062123.2 申请日: 2011-12-21
公开(公告)号: CN103299241A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 中村大介;影山景弘 申请(专利权)人: 爱发科成膜株式会社
主分类号: G03F1/32 分类号: G03F1/32
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 徐川;张颖玲
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 色调 坯料 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半色调掩模,包括:

透光部,包括透光性的基材;

半透光部,包括所述基材和设置在所述基材上且由铬或铬的化合物形成的半透光层;

遮光部,包括所述基材、所述半透光层、设置在所述半透光层上且由铬或铬的化合物形成的遮光层以及设置在所述半透光层和所述遮光层之间的刻蚀阻挡层,所述刻蚀阻挡层含有第一元素和第二元素,所述第一元素由选自钼和钨构成的组中的至少一种元素构成,且具有6.4mol%以上且38.2mol%以下的组成比,所述第二元素由选自锆、铌、铪和钽构成的组中的至少一种元素构成。

2.根据权利要求1所述的半色调掩模,其中,所述第一元素的组成比和所述第二元素的组成比之和为50mol%以下。

3.根据权利要求2所述的半色调掩模,其中,所述刻蚀阻挡层进一步含有第三元素,所述第三元素由选自铝、钛、钒、铁、镍、钴和铜构成的组中的至少一种元素构成,

所述第三元素的组成比为50mol%以上且90.2mol%以下。

4.根据权利要求1所述的半色调掩模,其中,所述刻蚀阻挡层的侧蚀量为0.3μm以下。

5.一种半色调掩模坯料,包括:

透光性的基材,

半透光层,设置在所述基材上,且由铬或铬的化合物形成;

遮光层,设置在所述半透光层上,且由铬或铬的化合物形成;

刻蚀阻挡层,含有第一元素和第二元素,所述第一元素由选自钼和钨构成的组中的至少一种元素构成,且具有6.4mol%以上且38.2mol%以下的组成比,所述第二元素由选自锆、铌、铪和钽构成的组中的至少一种元素构成,所述刻蚀阻挡层设置在所述半透光层和所述遮光层之间。

6.一种半色调掩模的制造方法,包括:

在透光性的基材上形成由铬或铬的化合物形成的半透光层;

在所述半透光层上形成含有第一元素和第二元素的刻蚀阻挡层,所述第一元素由选自钼和钨构成的组中的至少一种元素构成,且具有6.4mol%以上且38.2mol%以下的组成比,所述第二元素由选自锆、铌、铪和钽构成的组中的至少一种元素构成;

在所述刻蚀阻挡层上形成由铬或铬的化合物形成的遮光层;

通过将形成在所述遮光层上的抗蚀图案作为掩模进行刻蚀,分别形成包括所述基材的透光部、包括所述基材和所述半透光层的半透光部以及包括所述基材、所述半透光层和所述遮光层的遮光部;

使用硫酸类的化学液除去所述基材。

7.根据权利要求6所述的半色调掩模的制造方法,其中,所述第一元素的组成比和所述第二元素的组成比之和为50mol%以下。

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