[发明专利]具有带嵌入线和金属界定焊盘的衬底的器件封装

权利要求书

1.一种将IC芯片组装至封装件衬底的方法，所述方法包括：

使带焊料的IC芯片连接点对准于封装件衬底连接点，所述封装件衬底连接点具有露出的表面抛光金属，所述露出的表面抛光金属突出超过位于相邻衬底连接点之间的表面层电介质的顶表面，其中所述表面抛光金属被设置在表面层金属特征上，所述表面层金属特征包括嵌入在所述表面层电介质内的填充金属；以及

将设置在所述IC芯片连接点上的焊料熔合以将所述芯片连接点固定于所述封装件衬底连接点。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

底部填充所述IC芯片和封装件衬底之间的间隙以使所述表面层电介质层的顶表面与所述底部填充接触。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充金属具有与所述表面抛光金属不同的组成并且所述表面抛光金属具有与嵌入在所述表面层电介质中的相邻金属特征之间的最小横向距离的至少一半相等的厚度。

4.一种形成集成电路(IC)封装件衬底的方法，所述方法包括：

在第一金属特征上层压第一电介质层；

在所述电介质层中激光钻凿通路以使所述第一金属特征露出；

在所述第一电介质层上层压永久性光可界定层；

在所述永久性光可界定层内图案化焊盘，所述焊盘被设置在所述通路上；

将填充金属电解镀覆在所述通路和所述焊盘内；

将所述填充金属平整化至所述永久性光可界定层的顶表面；以及

在所述填充金属的顶表面上执行表面抛光金属的自对准镀覆。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，填充所述焊盘和通路还包括：

将催化剂沉积在所述永久性光可界定层上；

在所述催化剂上无电镀地镀覆籽晶层；并且

所述方法还包括用湿式化学处理从当所述填充金属被平整化时露出的永久性光可界定层去除所述催化剂。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述填充金属之上镀覆表面抛光金属还包括：在所述填充金属的露出表面上形成催化剂并镀覆一个或多个金属层。

7.一种形成集成电路(IC)封装件衬底的方法，所述方法包括：

在第一金属特征上层压第一电介质层；

在所述电介质层中激光钻凿通路以使所述第一金属特征露出；

在与所述通路横向隔开的电介质中激光图案化迹线；

将填充金属电解镀覆在所述通路和所述迹线中；

将所述填充金属平整化至所述电介质层的顶表面；

层压和图案化干膜抗蚀剂以露出通路但不露出迹线；

将表面抛光金属镀覆在所述露出的通路填充金属上；

去除所述干膜抗蚀剂；以及

使所述通路和所述迹线之间的电介质层露出。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，使所述通路和所述迹线之间的电介质层露出还包括将填充金属籽晶层蚀去。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述填充金属上镀覆所述表面抛光还包括镀覆镍、钯和金中的一种或多种。

10.一种集成电路(IC)封装件衬底，包括：

嵌入在表面层电介质层中的第一表面层金属特征，其填充金属顶表面与所述表面层电介质的顶表面平齐；以及

在所述第一表面层金属特征的顶表面上设置表面抛光金属，所述表面抛光金属突出超过所述表面层电介质层的顶表面并具有与所述填充金属不同的组成。

11.如权利要求10所述的IC封装件衬底，其特征在于，所述表面抛光金属具有一厚度，所述厚度与嵌入在所述表面层电介质层中的第一和第二表面层金属迹线之间的最小横向距离的至少一半相等。

12.如权利要求10所述的IC封装件衬底，其特征在于，所述第一和第二表面层金属迹线的一部分不具有表面抛光金属。

13.如权利要求12所述的IC封装件衬底，其特征在于，还包括亚表面层金属特征，所述亚表面层金属特征具有与所述表面层电介质材料相邻的侧壁。

14.如权利要求10所述的IC封装件衬底，其特征在于，所述第一表面层金属特征具有9μm或更小的最小横向尺寸，并且所述第一和第二表面层金属迹线之间的最小横向距离仅仅9μm。