[发明专利]单晶碳化硅外延生长用供料件和单晶碳化硅的外延生长方法

权利要求书

1.一种单晶碳化硅外延生长用供料件，其用于单晶碳化硅的外延生长方法，该供料件的特征在于：

具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层，

通过所述表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与所述（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。

2.如权利要求1所述的单晶碳化硅外延生长用供料件，其特征在于：

与所述（111）晶面对应的一级衍射峰是与所述结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的一级衍射峰中具有最大衍射强度的主衍射峰。

3.如权利要求1或2所述的单晶碳化硅外延生长用供料件，其特征在于：

在与所述（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰中，包括与（200）晶面、（220）晶面和（311）晶面中的至少一个对应的衍射峰。

4.如权利要求3所述的单晶碳化硅外延生长用供料件，其特征在于：

在与所述（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰中，包括分别与（200）晶面、（220）晶面和（311）晶面对应的衍射峰。

5.如权利要求1～4中任一项所述的单晶碳化硅外延生长用供料件，其特征在于：

与所述（111）晶面对应的一级衍射峰以外的一级衍射峰的强度总和为全部一级衍射峰的强度的总和的10%以上。

6.如权利要求1～5中任一项所述的单晶碳化硅外延生长用供料件，其特征在于：

从由所述表层的X射线衍射观察到的、与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的一级衍射峰算出的平均微晶粒径为以下。

7.如权利要求6所述的单晶碳化硅外延生长用供料件，其特征在于：

通过所述表层的X射线衍射，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰和与（200）晶面、（220）晶面和（311）晶面中的至少一个对应的一级衍射峰，

设所述与（111）晶面对应的一级衍射峰的强度、和所述与（200）晶面、（220）晶面和（311）晶面中的至少一个对应的一级衍射峰的合计强度之和为I₀，

设所述与（200）晶面、（220）晶面和（311）晶面中的至少一个对应的一级衍射峰的合计强度为I₁，

设从所述与（200）晶面、（220）晶面和（311）晶面中的至少一个对应的一级衍射峰算出的平均微晶粒径为D时，

（I₁/I₀）^-1·D²为10⁸以下。

8.如权利要求1～7中任一项所述的单晶碳化硅外延生长用供料件，其特征在于：

通过所述表层的X射线衍射观察到的所述（111）晶面中，取向角度为67.5°以上的晶面所占的比例低于80%。

9.如权利要求1～8中任一项所述的单晶碳化硅外延生长用供料件，其特征在于：

通过所述表层的使激发波长为532nm的拉曼分光解析，观察到源自结晶多型为3C的多晶碳化硅的L0峰，所述L0峰的从972cm^-1的位移量的绝对值低于4cm^-1。

10.如权利要求9所述的单晶碳化硅外延生长用供料件，其特征在于：

所述L0峰的半峰宽为7cm^-1以上。

11.如权利要求1～10中任一项所述的单晶碳化硅外延生长用供料件，其特征在于：

所述表层含有结晶多型为3C的多晶碳化硅作为主成分。

12.如权利要求11所述的单晶碳化硅外延生长用供料件，其特征在于：

所述表层实质上由结晶多型为3C的多晶碳化硅构成。

13.如权利要求1～12中任一项所述的单晶碳化硅外延生长用供料件，其特征在于：

具备支撑件和形成于所述支撑件之上、构成所述表层的多晶碳化硅膜。

14.如权利要求13所述的单晶碳化硅外延生长用供料件，其特征在于：

所述多晶碳化硅膜的厚度在30μm～800μm的范围内。