[发明专利]磁比例式电流传感器无效
申请号: | 201180063024.6 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN103314304A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 井出洋介;斋藤正路;高桥彰;一户健司 | 申请(专利权)人: | 阿尔卑斯绿色器件株式会社 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01R15/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 比例式 电流传感器 | ||
1.一种磁比例式电流传感器,具备:磁场检测电桥电路,其由因通过被测定电流产生的感应磁场的施加而电阻值变化的四个磁阻效应元件构成,且具备产生与所述感应磁场大致成比例的电压差的两个输出;磁屏蔽件,其使所述感应磁场衰减,所述磁比例式电流传感器利用所述磁场检测电桥电路的电压差来算出所述被测定电流的电流值,
所述磁比例式电流传感器的特征在于,
所述四个磁阻效应元件具有铁磁性固定层、非磁性中间层和软磁性自由层,所述铁磁性固定层为经由反平行结合膜将第一铁磁性膜与第二铁磁性膜反铁磁性地结合而成的自钉住固定型的铁磁性固定层,所述第一铁磁性膜及所述第二铁磁性膜的居里温度大致相同,且磁化量之差实质为零,所述四个磁阻效应元件中的三个磁阻效应元件的铁磁性固定层的磁化方向相同,剩余一个磁阻效应元件的铁磁性固定层的磁化方向为与所述三个磁阻效应元件的铁磁性固定层的磁化方向相差180°的方向。
2.如权利要求1所述的磁比例式电流传感器,其特征在于,
所述磁屏蔽件及所述磁场检测电桥电路形成在同一基板上。
3.如权利要求1或2所述的磁比例式电流传感器,其特征在于,
所述磁屏蔽件配置在比所述磁场检测电桥电路更靠近所述被测定电流的一侧。
4.如权利要求1~3中任一项所述的磁比例式电流传感器,其特征在于,
所述四个磁阻效应元件具有以长度方向相互平行的方式配置的多个带状的长条图案折返而成的形状,所述感应磁场以沿着与所述长度方向正交的方向的方式被施加。
5.如权利要求1~4中任一项所述的磁比例式电流传感器,其特征在于,
所述第一铁磁性膜由含有40原子%~80原子%的Fe的CoFe合金构成,所述第二铁磁性膜由含有0原子%~40原子%的Fe的CoFe合金构成。
6.如权利要求1~5中任一项所述的磁比例式电流传感器,其特征在于,
所述磁屏蔽件由从包括非晶形磁性材料、坡莫合金系磁性材料及铁系微晶体材料的组中选择出的高导磁率材料构成。
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