[发明专利]带封接材料层的玻璃构件和使用其的电子装置及其制造方法

权利要求书

1.一种带封接材料层的玻璃构件，其特征在于，具备玻璃基板和封接材料层，

所述玻璃基板具有具备封装区域的表面，

所述封接材料层形成在所述玻璃基板的所述封装区域上，厚度小于7μm，并且由将封接用玻璃材料焙烧而得到的材料形成，该封接用玻璃材料含有封接玻璃和包含激光吸收材料的无机填充材料，

相对于所述封接玻璃与所述无机填充材料的总量，所述封接用玻璃材料以2～44体积%的范围含有所述无机填充材料，并且所述封接用玻璃材料中的所述无机填充材料的表面积在大于6m²/cm³且小于14m²/cm³的范围，

所述封接材料层的材料的热膨胀系数α₁₁与玻璃基板的热膨胀系数α₂之差在15×10^-7/℃～70×10^-7/℃的范围。

2.根据权利要求1所述的带封接材料层的玻璃构件，其特征在于，相对于所述封接玻璃与所述无机填充材料的总量，所述封接用玻璃材料以2～40体积%的范围含有所述激光吸收材料。

3.根据权利要求1或2所述的带封接材料层的玻璃构件，其特征在于，所述无机填充材料还含有低膨胀填充材料，并且相对于所述封接玻璃与所述无机填充材料的总量，所述封接用玻璃材料以0.1～40体积%的范围含有所述低膨胀填充材料。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的带封接材料层的玻璃构件，其特征在于，所述激光吸收材料由选自Fe、Cr、Mn、Co、Ni和Cu组成的组中的至少1种金属、或含有所述金属的化合物中的至少1种形成。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的带封接材料层的玻璃构件，其特征在于，所述低膨胀填充材料由选自二氧化硅、氧化铝、氧化锆、硅酸锆、钛酸铝、莫来石、堇青石、锂霞石、锂辉石、磷酸锆类化合物、石英固溶体、钠钙玻璃和硼硅酸玻璃组成的组中的至少1种形成。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的带封接材料层的玻璃构件，其特征在于，所述玻璃基板由无碱玻璃或钠钙玻璃形成，并且所述封接玻璃由铋系玻璃或锡-磷酸系玻璃形成。

7.一种电子装置，其特征在于，具备：

第1玻璃基板，具有具备第1封装区域的第1表面；

第2玻璃基板，具有具备对应于所述第1封装区域的第2封装区域的第2表面，以所述第2表面与所述第1表面相向的方式配置；

电子元件部，设置在所述第1玻璃基板与所述第2玻璃基板之间；

封接层，形成在所述第1玻璃基板的所述第1封装区域与所述第2玻璃基板的所述第2封装区域之间以封装所述电子元件部，厚度小于7μm，并且由将封接用玻璃材料熔融和固化而得到的材料形成，该封接用玻璃材料含有封接玻璃和包含激光吸收材料的无机填充材料，

相对于所述封接玻璃与所述无机填充材料的总量，所述封接用玻璃材料以2～44体积%的范围含有所述无机填充材料，并且所述封接用玻璃材料中的所述无机填充材料的表面积在大于6m²/cm³且小于14m²/cm³的范围，

所述封接层的材料的热膨胀系数α₁₂与所述第1玻璃基板和所述第2玻璃基板中的至少一种玻璃基板的热膨胀系数α₂之差在15×10^-7/℃～70×10^-7/℃的范围。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，相对于所述封接玻璃与所述无机填充材料的总量，所述封接用玻璃材料以2～40体积%的范围含有所述激光吸收材料。

9.根据权利要求7或8所述的电子装置，其特征在于，所述无机填充材料还含有低膨胀填充材料，并且相对于所述封接玻璃与所述无机填充材料的总量，所述封接用玻璃材料以0.1～40体积%的范围含有述低膨胀填充材料。