[发明专利]金属基电路基板、金属基电路基板的制造方法

权利要求书

1.一种金属基电路基板，是铝基板、绝缘树脂层和金属层依次层叠而成的金属基电路基板，

所述铝基板表面的与水的接触角为50°～95°，

表面粗糙度R_Z为3μm～9μm。

2.如权利要求1所述的金属基电路基板，其中，

用以下条件测定的所述铝基板和所述绝缘树脂层的密合强度为20kg/cm²～50kg/cm²；

将用于得到所述绝缘树脂层的树脂漆涂布于圆盘状且粘接面为2.0cmφ的铝试验片，将涂布面粘接于固定的铝试验板，在180℃60分钟的条件下固化所述树脂漆，使所述铝试验片和所述铝试验板介由树脂层粘接；

将铝试验片以1.5mm/分钟的速度在垂直方向升起，将所述铝试验片或所述铝试验板与所述树脂层剥离的时刻作为密合强度进行测定。

3.如权利要求1或2所述的金属基电路基板，其中，

所述绝缘树脂层在常温下含有液态的双酚F型或A型的环氧树脂的固化物。

4.如权利要求1～3中任一项所述的金属基电路基板，其中，

所述绝缘树脂层包含选自苯氧树脂和橡胶成分中的1种以上的挠性赋予成分。

5.如权利要求4所述的金属基电路基板，其中，

相对于所述绝缘树脂层100质量%，所述挠性赋予成分的含量是10质量%～40质量%。

6.如权利要求1～5中任一项所述的金属基电路基板，其中，

所述铝基板未用偶联剂进行表面处理。

7.如权利要求1～6中任一项所述的金属基电路基板，其中，

所述绝缘树脂层包含无机填料和硅烷偶联剂，

相对于所述绝缘树脂层的总量100质量%，将所述硅烷偶联剂的含量设为c质量%，

相对于所述绝缘树脂层的总量100质量%，将所述无机填料的含量设为b质量%时，满足

5×10^-2＜c-（b×1/100）＜11。

8.如权利要求7所述的金属基电路基板，其中，

所述无机填料为氢氧化铝、氢氧化镁或氧化铝。

9.如权利要求1～8中任一项所述的金属基电路基板的制造方法，其中，包括如下工序：

使所述铝基板与50℃～80℃的水接触0.5分钟～3分钟的工序，和

在处理后的所述铝基板表面形成所述绝缘树脂层，接着在所述绝缘树脂层上形成所述金属层的工序。

10.如权利要求9所述的金属基电路基板的制造方法，其中，

所述铝基板未用偶联剂进行表面处理。

11.如权利要求1～8中任一项所述的金属基电路基板的制造方法，其中，包括如下工序：

对所述铝基板表面照射紫外线的工序，和

在照射所述紫外线后的所述铝基板表面形成所述绝缘树脂层，接着在所述绝缘树脂层上形成所述金属层的工序。

12.如权利要求11所述的金属基电路基板的制造方法，其中，

所述紫外线的波长为185nm或254nm。

13.如权利要求11或12所述的金属基电路基板的制造方法，其中，

照射在所述铝基板表面的所述紫外线的累积光量为0.1J/cm²～1.0J/cm²。

14.如权利要求11～13中任一项所述的金属基电路基板的制造方法，其中，

所述铝基板未用偶联剂进行表面处理。

15.一种金属基电路基板用铝基板的处理方法，是用于权利要求1～8中任一项所述的金属基电路基板的铝基板的处理方法，

使所述铝基板与50℃～80℃的水接触0.5分钟～3分钟。

16.一种金属基电路基板用铝基板的处理方法，是用于权利要求1～8中任一项所述的金属基电路基板的铝基板的处理方法，

照射在所述铝基板表面的所述紫外线的累积光量为0.1J/cm²～1.0J/cm²。