[发明专利]用于太阳能电池的纳米颗粒墨无效
申请号: | 201180063783.2 | 申请日: | 2011-12-02 |
公开(公告)号: | CN103283039A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 李运钧;X·李;J·P·诺瓦克 | 申请(专利权)人: | 应用纳米技术控股股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C08K5/101 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭辉 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 纳米 颗粒 | ||
1.一种用于制造太阳能电池结构的方法,该方法包括:
将一个钝化层沉积到一个硅基底的发射极层上;
在该钝化层上印制一个金属纳米颗粒层;并且
烧结所印制的金属纳米颗粒层,以便在该发射极层上形成多个低接触电阻的电极。
2.如权利要求1所述的方法,进一步包括:结合一种蚀刻剂或催化剂以便使在所印制的金属纳米颗粒层中的金属纳米颗粒能够扩散穿过该钝化层从而在该发射极层下面形成欧姆接触。
3.如权利要求1所述的方法,其中,该烧结的温度的范围是从350℃到600℃。
4.如权利要求1所述的方法,其中,该金属纳米颗粒层是用一种包括镍纳米颗粒的混合物印制的。
5.如权利要求4所述的方法,其中,该烧结包括使这些镍纳米颗粒与在该钝化层中的氮化硅进行反应以便形成导电的硅化镍。
6.如权利要求1所述的方法,其中,该金属纳米颗粒层是用一种非接触式印刷技术在该钝化层上印制的。
7.如权利要求1所述的方法,其中,该金属纳米颗粒层是使用喷墨印刷在该钝化层上印制的。
8.如权利要求1所述的方法,其中,该金属纳米颗粒层是使用气溶胶印刷在该钝化层上印制的。
9.如权利要求1所述的方法,其中,该金属纳米颗粒层是使用丝网印刷在该钝化层上印制的。
10.如权利要求1所述的方法,其中,该烧结是热烧结。
11.如权利要求1所述的方法,其中,该烧结是光烧结。
12.如权利要求1所述的方法,其中,这些电极是在该太阳能电池结构上的正面电极。
13.如权利要求1所述的方法,其中,这些电极是在该太阳能电池结构上的背面电极。
14.一种用于制造太阳能电池结构的方法,该方法包括:
在该太阳能电池结构的硅基底的钝化层上印制一个金属纳米颗粒层;并且
对所印制的金属纳米颗粒层进行烧制,以便在该发射极层上形成多个低接触电阻的电极。
15.如权利要求14所述的方法,其中,该烧制温度的范围是从350℃到600℃。
16.如权利要求14所述的方法,其中,该金属纳米颗粒层是用包括镍纳米颗粒的一种混合物来印制的,而其中该烧制包括使这些镍纳米颗粒与该钝化层中的氮化硅进行反应以便形成导电的硅化镍。
17.如权利要求14所述的方法,其中,该金属纳米颗粒层是用一种非接触式印刷技术在该钝化层上印制的。
18.如权利要求14所述的方法,其中,该金属纳米颗粒层是使用丝网印刷在该钝化层上印制的。
19.如权利要求14所述的方法,其中,该烧制是热烧结。
20.如权利要求14所述的方法,其中,该烧制是光烧结。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的