[发明专利]有机发光二极管及其制造方法、图像显示装置及照明装置

权利要求书

1.一种有机发光二极管，其特征在于，其在基板上至少依次层叠有阳极导电层、具有含有有机发光材料的发光层的有机电致发光层、和由Ag或Ag的含有率为70质量%以上的合金形成的阴极导电层，在所述阴极导电层的所述有机电致发光层侧的表面设置有多个凹部周期性地二维排列而成的二维点阵结构，

源自有机发光二极管的光的提取波长λ(nm)与所述二维点阵结构中的所述凹部的中心间的距离p(nm)在表示它们的关系的图中处于用下述座标A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、A依次连接而成的直线包围的区域内，并且所述凹部的深度为12nm以上且180nm以下，

A(λ=450、p=258+W(1/2))、B(λ=500、p=319+W(1/2))、C(λ=600、p=406+W(1/2))、D(λ=700、p=484+W(1/2))、E(λ=800、p=561+W(1/2))、F(λ=800、p=493-W(1/2))、G(λ=700、p=425-W(1/2))、H(λ=600、p=353-W(1/2))、I(λ=500、p=262-W(1/2))、J(λ=450、p=110-W(1/2))，在此，W(1/2)表示构成所述发光层的发光材料的光谱中的发光峰的半峰半宽。

2.一种有机发光二极管的制造方法，其特征在于，其为制造权利要求1所述的有机发光二极管的方法，

制作在表面具有对应于所述二维点阵结构的、多个凸部周期性地二维排列而成的结构的基板，在所述结构上依次层叠所述阳极导电层、所述有机电致发光层、和所述阴极导电层。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管的制造方法，其中，所述基板通过以颗粒单层膜作为蚀刻掩模的干蚀刻法制作。

4.根据权利要求2所述的有机发光二极管的制造方法，其包括以所述二维点阵结构作为模板来制作所述基板，

所述模板为通过以颗粒单层膜作为蚀刻掩模的干蚀刻法制作的原模、或者转印所述原模得到的金属电铸模或树脂模具。

5.一种有机发光二极管，其特征在于，其在基板上至少依次层叠有由Ag或Ag的含有率为70质量%以上的合金形成的阴极导电层、具有含有有机发光材料的发光层的有机电致发光层、和阳极导电层，在所述阴极导电层的所述有机电致发光层侧的表面设置有多个凹部周期性地二维排列而成的二维点阵结构，

源自有机发光二极管的光的提取波长λ(nm)与所述二维点阵结构中的所述凹部的中心间的距离p(nm)在表示它们的关系的图中处于用下述座标A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、A依次连接而成的直线包围的区域内，并且所述凹部的深度为12nm以上且180nm以下，

A(λ=450、p=258+W(1/2))、B(λ=500、p=319+W(1/2))、C(λ=600、p=406+W(1/2))、D(λ=700、p=484+W(1/2))、E(λ=800、p=561+W(1/2))、F(λ=800、p=493-W(1/2))、G(λ=700、p=425-W(1/2))、H(λ=600、p=353-W(1/2))、I(λ=500、p=262-W(1/2))、J(λ=450、p=110-W(1/2))，在此，W(1/2)表示构成所述发光层的发光材料的光谱中的发光峰的半峰半宽。

6.一种有机发光二极管的制造方法，其特征在于，其为制造权利要求5所述的有机发光二极管的方法，

制作在表面具有对应于所述二维点阵结构的、多个凹部周期性地二维排列而成的结构的基板，在所述结构上依次层叠所述阴极导电层、所述有机电致发光层、和所述阳极导电层。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管的制造方法，其包括以所述二维点阵结构作为模板来制作所述基板，

所述模板为通过以颗粒单层膜作为蚀刻掩模的干蚀刻法制作的原模、或者转印所述原模得到的金属电铸模或树脂模具。

8.根据权利要求6所述的有机发光二极管的制造方法，其中，所述基板如下制作：在表面制作颗粒单层膜后，从所述颗粒单层膜之上真空蒸镀选自由Cr、Ni、Fe和Co组成的组中的金属、制作从所述颗粒单层膜的颗粒的间隙到达所述基板的原板的表面的网状的金属蒸镀层后，去除所述颗粒单层膜，通过以所述网状的金属蒸镀层作为蚀刻掩模的干蚀刻法制作所述基板。