[发明专利]低功率通电控制电路的方法和实施方案

权利要求书

1.一种设备，其包括：

功率检测器电路，其由第一电压供应器供电；以及

至少一个电压电平移位装置，其耦合到第二电压供应器，且经配置以将测试输入提供给所述功率检测器电路。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述功率检测器电路经配置而以所述测试输入为基准来确定所述第二电压供应器是否经供电，且其中所述功率检测器电路经进一步配置以提供指示所述第二电压供应器经供电的输出。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述功率检测器电路经配置以响应于所述第一电压供应器的第一电压超过第一阈值且所述第二电压供应器的第二电压超过第二阈值而提供具有第一逻辑电平的所述输出。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一电压供应器的所述第一阈值小于所述第二电压供应器的所述第二阈值。

5.根据权利要求2所述的设备，其中所述功率检测器电路经进一步配置以响应于所述第二电压供应器的第二电压在所述第一电压供应器的第一电压超过第一阈值时从低于第二阈值转变到高于所述第二阈值而将所述输出从第二逻辑电平转变到第一逻辑电平。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述功率检测器电路经进一步配置以响应于所述第二电压供应器的所述第二电压从高于所述第二阈值转变到低于所述第二阈值而将所述输出从所述第一逻辑电平转变到所述第二逻辑电平。

7.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括实现所述功率检测器电路的输入的放电的放电路径。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述放电路径包括第一电阻器、第二电阻器、第一n型金属氧化物半导体NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述放电路径进一步包括第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管，其中所述第一NMOS的栅极耦合到所述第三NMOS晶体管的栅极，且其中所述第二NMOS的栅极耦合到所述第四NMOS晶体管的栅极。

10.根据权利要求1所述的设备电路，其进一步包括由所述第二电压供应器供电且响应于所述第一电压供应器的电压电平的漏电控制装置。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述漏电控制装置包括n型金属氧化物半导体NMOS晶体管，其中所述NMOS晶体管的栅极耦合到所述第一电压供应器，且其中所述NMOS晶体管的源极耦合到所述功率检测器电路。

12.根据权利要求1所述的设备，其集成于至少一个半导体裸片中。

13.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括选自包括以下各者的组的装置：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机，所述功率检测器电路和所述电压电平移位装置集成到所述装置中。

14.一种设备，其包括：

用于检测电压的装置，其中所述用于检测电压的装置由第一电压供应器供电；

用于逐步减低电压的装置，其中所述用于逐步减低电压的装置耦合到第二电压供应器，且经配置以响应于所述第二电压供应器将测试输入提供给所述用于检测电压的装置。

15.根据权利要求14所述的设备，其进一步包括边界逻辑，其中所述边界逻辑包括多个闩锁元件。

16.根据权利要求15所述的设备，其进一步包括耦合到所述边界逻辑的联合测试行动小组JTAG逻辑，其中所述JTAG逻辑经配置以执行所述多个闩锁元件的边界扫描。

17.根据权利要求16所述的设备，其中所述JTAG逻辑包括测试接入端口TAP控制器，且其中所述TAP控制器经配置以从所述用于检测电压的装置接收复位信号。

18.根据权利要求14所述的设备，其中所述第一电压供应器为核心电压供应器，且其中所述第二电压供应器为衰减电压供应器。

19.根据权利要求18所述的设备，其进一步包括耦合到所述衰减电压供应器的多个输入/输出I/O缓冲器。

20.根据权利要求14所述的设备，其集成于至少一个半导体裸片中。