[发明专利]后表面照明的固态图像传感器

权利要求书

1.一种微电子单元，包括：

半导体元件，所述半导体元件具有前表面和远离所述前表面的后表面；

封装层，所述封装层与所述半导体元件的所述前表面连接，

其中所述半导体元件包括光检测器和在所述前表面上与所述光检测器连接的导电接触件，所述光检测器与所述前表面相邻设置且与所述后表面的一部分对齐以接收穿过所述后表面的一部分的光，其中所述光检测器包括排成阵列的多个光检测器元件，其中所述导电接触件包括具有第一厚度的薄区和具有比所述第一厚度更厚的第二厚度的厚区；和

导电互连，所述导电互连穿过所述封装层延伸至所述导电接触件的所述薄区，所述导电互连的至少一部分在所述微电子单元的表面暴露。

2.根据权利要求1所述的微电子单元，其中所述第一厚度为所述第二厚度的百分之九十。

3.根据权利要求1所述的微电子单元，其中所述第一厚度为所述第二厚度的百分之五十。

4.根据权利要求1所述的微电子单元，进一步包括：

封装组件，所述封装组件连接在所述半导体元件的后表面并且在垂直于所述后表面的方向上限定出与所述光检测器对齐的腔。

5.根据权利要求4所述的微电子单元，进一步包括：

第一介电层，所述第一介电层设在所述半导体元件的后表面上且所述封装组件通过第二介电层与所述第一介电层连接。

6.根据权利要求5所述的微电子单元，其中所述第一介电层的厚度为约1-5微米并且所述第二介电层包含粘合材料。

7.根据权利要求1所述的微电子单元，其中所述封装层的厚度为约30-1000微米。

8.根据权利要求1所述的微电子单元，其中所述光检测器包括限定出一个或多个像素的多个光元件，其中每个所述像素在沿着所述前表面的横向上的横向尺寸大体等于所述微电子元件的厚度。

9.根据权利要求1所述的微电子单元，进一步包括：

包含将所述微电子元件与所述封装层连接的粘合材料的层。

10.根据权利要求1所述的微电子单元，

其中所述导电接触件包括设在所述半导体元件内且具有第三厚度的多个层，其中所述半导体元件具有大于所述第三厚度的第四厚度，

其中所述导电互连延伸进入所述导电接触件内的深度小于所述第三厚度，且所述导电互连连接到所述导电接触件的多个层的金属层。

11.根据权利要求10所述的微电子单元，其中所述导电接触件的多个层包括包含介电材料的层。

12.根据权利要求10所述的微电子单元，其中所述导电接触件包括使所述多个层中的相邻层互相连接的导电通孔。

13.根据权利要求10所述的微电子单元，其中所述导电接触件的所述多个层包括介电材料和金属的交替层。

14.根据权利要求10所述的微电子单元，其中所述第三厚度的最大值为约10微米。

15.根据权利要求1所述的微电子单元，

其中所述导电接触件的薄区和厚区从所述前表面向所述封装层延伸，

其中所述导电互连延伸进入所述导电接触件内的深度小于所述第二厚度。

16.根据权利要求15所述的微电子单元，其中所述导电接触件包括与所述前表面相邻的第一金属层和设在所述第一金属层与所述封装层之间的至少一个第二金属层。

17.根据权利要求16所述的微电子单元，其中所述第一金属层包含铝且所述第二金属层包含镍、铜、银或金中的至少一种。

18.根据权利要求16所述的微电子单元，其中所述第二金属层通过化学镀形成。

19.根据权利要求16所述的微电子单元，其中所述第二金属层的厚度大于所述第一金属层的厚度。

20.根据权利要求16所述的微电子单元，其中所述第二金属层的厚度为约0.5-30微米。

21.根据权利要求16所述的微电子单元，其中所述导电互连延伸进入所述导电接触件内的深度使该导电互连中止在所述第一金属层和所述封装层之间。