[发明专利]降低在多道炉中生长的半导体结晶片的电阻率范围的方法

权利要求书

1.生长结晶半导体片的方法，所述方法包括：

提供结晶片生长炉，所述炉包括配置有材料导入区和包括多个晶体片生长道的晶体生长区的坩埚，所述坩埚被配置成产生从所述导入区朝向离材料导入区最远的晶体片生长道的总体单向的材料流动；

在所述材料导入区处接收掺杂有p-型掺杂剂和n-型掺杂剂的硅，其中所述n-型掺杂剂与所述p-型掺杂剂的以重量计的浓度比超过0.1，掺杂的硅形成熔体；以及

在至少两个结晶片生长道中从所述熔体生长p-型结晶片。

2.权利要求1的方法，其中所述p-型掺杂剂包括硼，以及所述n-型掺杂剂包括磷。

3.权利要求2的方法，其中所述n-型掺杂剂与所述p-型掺杂剂的以重量计的浓度比在0.4至1.0的范围内。

4.权利要求1的方法，其中所述p-型掺杂剂包括硼，以及所述n-型掺杂剂包括砷。

5.权利要求4的方法，其中所述n-型掺杂剂与所述p-型掺杂剂的以重量计的浓度比在0.9至2.5的范围内。

6.权利要求1的方法，其还包括：

在材料移除区处从坩埚移除材料，所述晶体生长区位于所述材料导入区与所述材料移除区之间，其中被移除的材料的百分率不少于在所述材料导入区处被导入的材料的0.5%。

7.生长结晶半导体片的方法，所述方法包括：

提供结晶片生长炉，所述炉包括配置有材料导入区和包括多个晶体片生长道的晶体生长区的坩埚，所述坩埚被配置成产生从所述导入区朝向离材料导入区最远的晶体片生长道的总体单向的材料流动；

在所述材料导入区处接收掺杂有p-型掺杂剂和n-型掺杂剂的硅，其中所述p-型掺杂剂与所述n-型掺杂剂的以重量计的浓度比超过0.1，掺杂的硅形成熔体；以及

在至少两个结晶片生长道中从所述熔体生长n-型结晶片。

8.权利要求7的方法，其中所述p-型掺杂剂包括镓，以及所述n-型掺杂剂包括磷。

9.权利要求8的方法，其中所述p-型掺杂剂与所述n-型掺杂剂的以重量计的浓度比在4.0至30.0的范围内。

10.权利要求9的方法，其中所述p-型掺杂剂包括镓，以及所述n-型掺杂剂包括砷。

11.权利要求10的方法，其中所述p-型掺杂剂与所述n-型掺杂剂的以重量计的浓度比在1.0至13.0的范围内。

12.权利要求7的方法，其还包括：

在材料移除区处从坩埚移除材料，所述晶体生长区位于所述材料导入区与所述材料移除区之间，其中被移除的材料的百分率不少于在所述材料导入区处被导入的材料的0.5%。

13.生长结晶半导体片的方法，所述方法包括：

提供结晶片生长炉，所述炉包括配置有材料导入区和包括多个晶体片生长道的晶体生长区的坩埚，所述坩埚被配置成产生从所述导入区朝向离材料导入区最远的晶体片生长道的总体单向的材料流动；

在所述材料导入区处接收掺杂有p-型掺杂剂和n-型掺杂剂的硅，其中在掺杂的硅中所述n-型掺杂剂的量超过痕量并且所述p-型掺杂剂的量超过痕量，掺杂的硅形成熔体；以及

在至少两个结晶片生长道中从所述熔体生长结晶片。

14.权利要求13的方法，其中所述p-型掺杂剂包括硼，以及所述n-型掺杂剂包括磷。

15.权利要求13的方法，其中所述p-型掺杂剂包括硼，以及所述n-型掺杂剂包括砷。

16.权利要求13的方法，其中所述p-型掺杂剂包括镓，以及所述n-型掺杂剂包括磷。

17.权利要求13的方法，其中所述p-型掺杂剂包括镓，以及所述n-型掺杂剂包括磷。

18.权利要求13的方法，其还包括：

在材料移除区处从坩埚移除材料，所述晶体生长区位于所述材料导入区与所述材料移除区之间，其中被移除的材料的百分率不少于在所述材料导入区处被导入的材料的0.5%。