[发明专利]辐射传感器

权利要求书

1.一种辐射传感器，包括：第一像素和第二像素；辐射吸收滤波器，定位于所述第一像素之上，所述吸收滤波器和所述第一像素的组合谱响应具有第一像素通带和第一像素阻带；以及干涉滤波器，定位于所述第一像素和所述第二像素二者之上，所述干涉滤波器具有基本上在所述第一像素通带内的第一干涉滤波器通带和基本上在所述第一像素阻带内的第二干涉滤波器通带。

2.根据权利要求1所述的辐射传感器，其中所述第一干涉滤波器通带具有比所述第一像素通带的半高全宽带宽更少的半高全宽带宽和/或所述第二干涉滤波器通带具有比所述第一像素阻带的半高全宽带宽更少的半高全宽带宽。

3.根据权利要求1所述的辐射传感器，其中所述第一干涉滤波器通带具有比所述第一像素通带的10dB带宽更少的半高全宽带宽和/或所述第二干涉滤波器通带具有比所述第一像素阻带的10dB带宽更少的半高全宽带宽。

4.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，其中所述第一像素和所述第二像素形成于共同衬底上。

5.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，其中所述第一像素和所述第二像素是共同像素阵列的部分。

6.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，其中所述第一像素与所述第二像素相邻。

7.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，其中所述第一像素和所述第二像素形成于共同传感器窗之下。

8.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，其中所述干涉滤波器包括基本上在所述第一像素阻带内的多个第二通带。

9.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，其中所述吸收滤波器包括有机抗蚀剂。

10.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，其中所述辐射吸收滤波器形成于所述第一像素的感测表面上。

11.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，其中所述第一像素阻带包括在513nm与608nm之间的波长。

12.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，其中所述第一像素通带包括超过700nm的波长。

13.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，其中所述干涉滤波器与所述第一像素和所述第二像素一体形成。

14.根据权利要求13所述的辐射传感器，其中所述干涉滤波器包括多个电介质层。

15.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，其中所述干涉滤波器定位于所述辐射吸收滤波器与所述第一像素之间。

16.根据权利要求1至14中的任一权利要求所述的辐射传感器，其中所述辐射吸收滤波器定位于所述干涉滤波器与所述第一像素之间。

17.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，其中所述干涉滤波器通带中的一个或者两个干涉滤波器通带具有少于50nm的半高全宽带宽。

18.根据权利要求17所述的辐射传感器，其中两个干涉滤波器通带具有少于50nm的半高全宽带宽。

19.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，其中所述第一像素和所述第二像素包括单光子雪崩检测器。

20.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，其中所述干涉滤波器是法布里-珀罗标准具滤波器。

21.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，还包括透镜，用于向所述第一像素和所述第二像素上聚焦在所述透镜上入射的辐射。

22.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，还包括用于从第二像素信号减去第一像素信号的控制器。

23.根据任一前述权利要求所述的辐射传感器，还包括辐射源。

24.根据权利要求23所述的辐射传感器，还包括用于激活和去激活所述辐射源的控制器。

25.根据权利要求23或者24所述的辐射传感器，其中所述辐射源是发光二极管或者半导体激光二极管。

26.根据权利要求23至25中的任一权利要求所述的辐射传感器，其中所述第一干涉滤波器通带具有比所述辐射源的发射谱的半高全宽带宽更少的半高全宽带宽。