[发明专利]用于将麦克风电路连接至前置放大器的接口电路有效
申请号: | 201180065098.3 | 申请日: | 2011-10-14 |
公开(公告)号: | CN103380570A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 安德烈亚·巴尔别里;杰尔马诺·尼科利尼 | 申请(专利权)人: | 意法爱立信有限公司 |
主分类号: | H03H11/46 | 分类号: | H03H11/46;H03H5/12 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨生平;钟锦舜 |
地址: | 瑞士普*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 麦克风 电路 连接 前置放大器 接口 | ||
1.一种被适配为将麦克风电路(MCD)连接至前置放大器(PA)的接口电路(INTC),所述麦克风电路(MCD)包括麦克风(3)和至少一个输出节点(MO,MO′),并且所述前置放大器(PA)包括被适配为经过所述接口电路(INTC)连接至所述输出节点(MO,MO′)的至少一个输入节点(10,10′),所述接口电路(INTC)包括用于将所述输入节点(10,10′)从所述输出节点(MO,MO′)DC去耦的至少一个去耦电容器(CDEC),所述去耦电容器(CDEC)具有连接至或被适配为连接至所述输入节点(10,10′)的第一端以及连接至或被适配为连接至所述输出节点(MO,MO′)的第二端,
其特征在于,所述接口电路(INTC)包括:
-包括电阻器(R)的至少一个有源电路(UGAMP,UGAMP′),所述电阻器具有被连接至所述去耦电容器(CDEC)的所述第一端的第一端;和
-连接至所述电阻器(R)的第二端的偏置电路(B_Circ),以利用期望偏置电压(VCM)偏置所述前置放大器的所述输入节点(10,10′);
接口电路,所述接口电路被适配为可操作地作为阻抗倍增器,并且具有取决于所述电阻器(R)的阻抗的等效阻抗,所述等效阻抗与所述去耦电容器(CDEC)一起定义可操作地连接或被适配为连接在所述麦克风(3)与所述前置放大器(PA)之间的高通滤波器。
2.根据权利要求1所述的接口电路(INTC),其中,所述有源电路(UGAMP,UGAMP′)包括单位增益放大器电路。
3.根据权利要求1或2所述的接口电路(INTC),其中:
-所述有源电路(UGAMP,UGAMP′)包括第一MOS源极跟随器(M1)和第二MOS源极跟随器(M2),每个所述MOS源极跟随器具有各自的栅极端子(g1,g2)、漏极端子(d1,d2)和源极端子(s1,s2),所述第二MOS源极跟随器(M2)的栅极端子(g2)连接至所述第一MOS源极跟随器(M1)的所述源极端子(s1);并且
-所述电阻器(R)的所述第一端连接至所述第一MOS源极跟随器(M1)的所述栅极端子(g1),并且所述电阻器(R)的所述第二端连接至所述第一MOS源极跟随器(M1)的所述漏极端子(d1)并且连接至所述第二MOS源极跟随器(M2)的所述源极端子(s2)。
4.根据权利要求3所述的接口电路(INTC),其中:
-所述有源电路包括电流生成器(Ig1),所述电流生成器(Ig1)具有连接至所述电阻器(R)的所述第二端的输出端子(d4)并且具有控制端子(g4);并且
-所述偏置电路(B_Circ)包括具有连接至所述控制端子(g4)的输出端子的运算放大器(OA_B)。
5.根据权利要求4所述的接口电路(INTC),其中,所述电流生成器(I_g1)包括具有栅极端子(g4)和漏极端子(d4)的MOS晶体管(M4),其中,所述电流生成器(I_g1)的所述控制端子和输出端子分别是所述MOS晶体管(M4)的所述栅极端子(g4)和漏极端子(d4)。
6.根据权利要求1-5中的任意一个所述的接口电路(INTC),其中,所述前置放大器(PA)是具有共模电压(VCM)的前置放大器,并且其中,所述偏置电路(B_Circ)被适配为用所述共模电压(VCM)偏置所述输入节点(10,10′)。
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