[发明专利]非水电解质二次电池

权利要求书

1. 一种非水电解质二次电池，其中包括形成于负极集电体上的包括硅和硅氧化物的复合物的负极活性物质层的片状负极经由隔离物与包括形成于正极集电体上的正极活性物质层的片状正极相向配置，所述负极活性物质层的周围边缘部分配置在所述正极活性物质层的周围边缘部分之内，并且当所述正极的充电容量为a，所述负极的充电容量为b，且设b/a = c时，满足1.00 < c的关系。

2. 根据权利要求1所述的非水电解质二次电池，其中所述c满足1.05 ≤ c ≤ 1.45的关系。

3. 根据权利要求1或2所述的非水电解质二次电池，其中当所述正极活性物质层与所述隔离物相向的面积为α，所述负极活性物质层与所述隔离物相向的面积为β，且设α/β = γ时，满足1.00 ≤ γ的关系。

4. 根据权利要求3所述的非水电解质二次电池，其中所述γ满足1.05 ≤γ ≤1.40的关系。

5. 根据权利要求3所述的非水电解质二次电池，其中所述γ满足1.15 ≤γ ≤1.40的关系。

6. 根据权利要求3所述的非水电解质二次电池，其中所述γ满足1.05 ≤γ ≤1.15的关系。

7. 根据权利要求1至6的任一项所述的非水电解质二次电池，为膜封装、电极层叠型。