[发明专利]降低尺寸的固态发光装置及制造方法

权利要求书

1.一种固态发光SSL装置，其包含：

第一半导体材料；

第二半导体材料，其与所述第一半导体材料间隔开；

有源区，其位于所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间；

缺口，其在所述第一半导体材料、所述有源区及所述第二半导体材料中；

绝缘材料，其在所述缺口中，覆盖所述第二半导体材料及所述有源区且暴露所述第一半导体材料的一部分；及

传导材料，其在所述缺口中且邻近所述绝缘材料，所述传导材料与所述第一半导体材料直接接触。

2.根据权利要求1所述的SSL装置，其中：

所述第一半导体材料包括N型氮化镓(GaN)材料；

所述第二半导体材料包括P型GaN材料；

所述有源区包括GaN/氮化铟镓(InGaN)多量子阱；

所述缺口具有三角形横截面，其中第一侧壁及第二侧壁从所述第二半导体材料的表面延伸到所述第一半导体材料中；

所述绝缘材料包括实质上覆盖所述第一侧壁的第一绝缘部分及部分地覆盖所述第二侧壁的第二部分；

所述第一绝缘部分具有与第二表面对置的第一表面；

所述第一绝缘部分的所述第一表面大体上与所述第二半导体材料的所述表面共平面；

所述第一绝缘部分的所述第二表面靠近所述第一半导体材料；

所述第二绝缘部分具有与第二末端对置的第一末端；

所述第二绝缘部分的所述第一末端延伸超过所述第二半导体材料的所述表面；

所述第二绝缘部分的所述第二末端朝所述第一半导体材料延伸；

所述绝缘材料包括在所述第一绝缘部分与所述第二绝缘部分之间的间隙，所述间隙暴露所述第一半导体材料的靠近所述第二侧壁的部分；

所述传导材料经由所述第一绝缘部分与所述第二绝缘部分之间的所述间隙与所述第一半导体材料直接接触。

3.根据权利要求1所述的SSL装置，其中：

所述缺口具有侧壁，所述侧壁从所述第二半导体材料的表面延伸到所述第一半导体材料中；且

所述绝缘材料部分地覆盖所述侧壁，其中所述第一半导体材料的一部分穿过所述绝缘材料而暴露。

4.根据权利要求1所述的SSL装置，其中：

所述缺口具有侧壁，所述侧壁从所述第二半导体材料的表面延伸到所述第一半导体材料中；

所述侧壁包括对应于所述第一半导体材料的第一部分、对应于所述有源区的第二部分及对应于所述第二半导体材料的第三部分；且

所述绝缘材料实质上覆盖所述侧壁的所述第二部分及所述第三部分且至少不完全覆盖所述侧壁的所述第一部分。

5.根据权利要求1所述的SSL装置，其中：

所述缺口具有侧壁，所述侧壁从所述第二半导体材料的表面延伸到所述第一半导体材料中；

所述侧壁包括对应于所述第一半导体材料的第一部分、对应于所述有源区的第二部分及对应于所述第二半导体材料的第三部分；

所述绝缘材料实质上覆盖所述侧壁的所述第二部分及所述第三部分且至少不完全覆盖所述侧壁的所述第一部分；且

所述传导材料在所述侧壁的所述第一部分处与所述第一半导体材料直接接触。

6.根据权利要求1所述的SSL装置，其中：

所述缺口具有三角形横截面，其中第一侧壁及第二侧壁从所述第二半导体材料的表面延伸到所述第一半导体材料中；且

所述绝缘材料包括实质上覆盖所述第一侧壁的第一绝缘部分及部分地覆盖所述第二侧壁的第二部分。

7.根据权利要求1所述的SSL装置，其中：

所述缺口具有侧壁，所述侧壁从所述第二半导体材料的表面延伸到所述第一半导体材料中；

所述绝缘材料部分地覆盖所述侧壁，其中所述第一半导体材料的一部分穿过所述绝缘材料而暴露；

所述绝缘材料具有与第二末端对置的第一末端；

所述绝缘材料的所述第一末端延伸超过所述第二半导体材料的所述表面；且

所述绝缘材料的所述第二末端朝所述第一半导体材料延伸。