[发明专利]同轴波导管变换器和脊波导管

说明书

技术领域

本发明涉及同轴波导管变换器和脊波导管。

背景技术

脊波导管具有比矩形波导管低的截止频率，从而呈现出宽带传输特性(专利文献1)。因为脊波导管在低频带中同样具有良好的传输特性，在相同的设计频率上，可以以比矩形波导管小的尺寸来实现脊波导管。采用脊波导管作为射频电路的传输线路具有在相同设计频率上以物理上更小空间来实现射频电路的优点。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本已审专利申请公开No.H06-18287

发明内容

技术问题

作为同轴波导管和脊波导管的变换器，存在从H面将内导体插入的H面耦合构造。此外，在H面耦合构造中，存在短路类型和开路类型。使用图9至11来解释该构造。图9是示意性地示出了H面耦合同轴波导管变换器的斜视图。图10是示出了短路类型的连接构造的侧视图，以及图11是示出了开路类型的连接构造的截面图。

如图9所示，同轴线60的内导体61与来自H面(磁场面)的脊波导管50电磁耦合。在内导体61的外周上提供电介质62。此外，在脊波导管50中提供脊51。则波导空间52在其截面上具有凹面形状。内导体61的末端与脊51接触的构造是如图10所示的短路类型，而内导体61的末端与脊51不接触的构造是如图11所示的开路类型。

在图11中所示的开路类型中，内导体61的电磁场耦合强烈地依赖于内导体61末端的下表面和脊波导管50的上表面之间形成的电容。因此，开路类型具有以下特征：与H中的改变相关联的特性波动极大。图12示出了7GHz模型开路类型的回波损耗特性。如图12所示，在内导体61末端的下表面和脊波导管50的上表面之间的距离H的仅0.05mm的改变，使回波损耗恶化到低于-20dB。因此，存在由于制造偏差导致特性极度恶化的问题。

另一方面，在图10所示的短路类型中，特性稳定。然而，内导体61过于强烈地与脊波导管50中的电磁场耦合，从而妨碍阻抗匹配。此外，由于制造原因，难以实现稳定的电接触。图13示出了7GHz模型短路类型的回波损耗的频率特性。如图13所示，仅插入内导体61以进行连接实现了仅大约-7dB的回波损耗。此外，在H面耦合同轴波导管变换器中，为了实现宽带特性，频率特性强烈地依赖于内导体的尺寸。因此，通常在内导体中形成阶(step)，以匹配阻抗，并且在很多情况下，由于制造原因，这使构造复杂。

如前所述，在H面耦合同轴波导管变换器中存在以下问题：H面耦合同轴波导管变换器容易受到制造偏差影响，并因此容易受到特性恶化的影响。

本发明的目的是提供在宽带宽上不易受到制造偏差影响的脊波导管和同轴波导管变换器。

问题的解决方案

在本发明的示例方案中，一种具有脊的脊波导管包括：突出部，从所述脊向波导空间侧突出，所述突出部的突出量从所述脊波导管的同轴线侧的端面沿着所述脊波导管的波导方向逐渐减小；在所述突出部中提供到达所述脊波导管的波导空间的通孔，所述通孔被布置在以下位置处：在所述脊波导管的所述同轴线侧的端面内与所述突出部突出的方向相垂直的方向上从所述脊波导管的中心发生位移的位置，以及将所述同轴线的内导体插入所述通孔。

在本发明的另一示例方案中，一种同轴波导管变换器包括：具有脊的脊波导管以及同轴线，所述同轴线从所述脊波导管的E面与所述脊波导管无接触地电磁耦合，其中，在所述脊波导管的脊中提供向所述脊波导管的波导空间侧突出的突出部，所述突出部的突出量从所述脊波导管的同轴线侧的端面沿着所述脊波导管的波导方向逐渐减小，在所述突出部中提供到达所述脊波导管的波导空间的通孔，以及将所述同轴线的内导体在以下位置处插入所述通孔：在所述脊波导管的所述同轴线侧的端面内与所述突出部突出的方向相垂直的方向上从所述脊波导管的中心发生位移的位置。

发明的有益效果

根据本发明，能够提供在宽带宽上不易受到制造偏差影响的脊波导管和同轴波导管变换器。

附图说明

图1是示出了根据本发明的示例实施例的同轴波导管变换器的构造的斜视图；

图2是示出了根据本发明的第一示例实施例的同轴波导管变换器的构造的斜视图；

图3是示出了根据本发明的第一示例实施例的同轴波导管变换器的构造的正面图；

图4是示出了根据本发明的第一示例实施例的同轴波导管变换器的构造的斜视图；

图5是示出了根据本发明的该示例实施例的同轴波导管变换器的特性的图；

图6是示出了根据本发明的该示例实施例的同轴波导管变换器的特性的图；