[发明专利]坩埚主体及其形成方法

权利要求书

1.一种物品，包括：

包括氮氧化硅（Si_xN_yO，其中x>0并且y>0）的一个整体式坩埚主体，其中该氮氧化硅延伸遍及该整体式坩埚主体的整个体积。

2.一种物品，包括：

具有一个整体式结构和一个坩埚热膨胀系数（CTE_c）的一个坩埚主体，该坩埚主体具有通过式ΔCTE=[(CTEc-CTEs)/CTEs]定义的、在该CTE_c与金属硅的热膨胀系数（CTE_s）之间不大于约20%的热膨胀系数差（ΔCTE）。

3.根据权利要求1和2中任一项所述的物品，其中该坩埚主体包括一种复合材料，该复合材料除氮氧化硅之外包含一种第二材料。

4.根据权利要求1和2中任一项所述的物品，其中该主体包括至少约0.10的氮氧化硅与氮化硅的比率[Si₂ON₂/Si₃N₄]。

5.根据权利要求1和2中任一项所述的物品，其中该主体包括不大于约0.7的氮氧化硅与氮化硅的比率[Si₂ON₂/Si₃N₄]。

6.根据权利要求1和2中任一项所述的物品，其中该整体式坩埚主体包括一种第三材料，该第三材料包括一种氧化物。

7.根据权利要求1和2中任一项所述的物品，其中该整体式坩埚主体包括一种包括二氧化硅（SiO2）的第三材料，并且其中该主体包括比二氧化硅的含量更大的氮氧化硅的含量。

8.根据权利要求1和2中任一项所述的物品，其中该整体式坩埚主体以对于该主体的总体积不大于约12vol%的量包括一种第三材料。

9.根据权利要求1和2中任一项所述的物品，其中该整体式坩埚主体包括一种第三材料，并且其中该第三材料包括一种晶相。

10.根据权利要求1和2中任一项所述的物品，其中该整体式坩埚主体包括一种第三材料，并且其中该第三材料包括一种玻璃相。

11.根据权利要求1和2中任一项所述的物品，其中该整体式坩埚主体包括一种第三材料，并且其中该主体包括不大于约0.45的该第三材料中的玻璃相与该第三材料中的晶相的比率[Pvit/Pcry]。

12.根据权利要求1和2中任一项所述的物品，其中该整体式坩埚主体包括一种第三材料，并且其中该主体包括不大于约0.3的该第三材料中的玻璃与该第三材料中的晶相的比率[Pvit/Pcry]。

13.根据权利要求1和2中任一项所述的物品，其中该整体式坩埚主体包括一种复合材料，该复合材料除氮氧化硅之外包含一种第二材料，该第二材料选自由以下各项组成的组：氮化物、氧化物、碳化物、氮氧化物、以及它们的组合。

14.根据权利要求13所述的物品，其中该第二材料包括选自下组材料的一种材料，该组由以下各项组成：氮化硅（Si_xN_y）、碳化硅、硅、二氧化硅、以及它们的组合。

15.根据权利要求13所述的物品，其中该第二材料以小于该整体式坩埚主体中氮氧化硅的量的一个量（vol%）存在。

16.根据权利要求13所述的物品，其中该第二材料以大于该整体式坩埚主体中氮氧化硅的量的一个量（vol%）存在。

17.根据权利要求1和2中任一项所述的物品，其中该整体式坩埚主体包括该整体式坩埚主体的总体积的至少约20vol%的氮氧化硅。

18.根据权利要求1和2中任一项所述的物品，其中该整体式坩埚主体包括不大于约99vol%的氮氧化硅。

19.根据权利要求1和2中任一项所述的物品，其中该整体式坩埚主体包括该整体式坩埚主体的总体积的至少约90vol%的晶相含量。

20.根据权利要求1和2中任一项所述的物品，其中该整体式坩埚主体基本由晶相材料组成。