[发明专利]制造板级电磁干扰(EMI)屏蔽的框架的折叠方法有效

专利信息
申请号: 201180066511.8 申请日: 2011-12-17
公开(公告)号: CN103444277A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 伊戈尔·维诺库尔;G·R·英格利史;Z·M·科鲁斯 申请(专利权)人: 莱尔德技术股份有限公司
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 吕俊刚;刘久亮
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 制造 电磁 干扰 emi 屏蔽 框架 折叠 方法
【权利要求书】:

1.一种制造用于电磁(EMI)屏蔽设备的框架的方法,该电磁(EMI)屏蔽设备用于为基板上的一个或多个组件提供EMI屏蔽,所述方法包括:

形成框架,所述框架至少具有第一框架部分、第二框架部分和公共侧壁,所述公共侧壁至少包括由所述第一框架部分和所述第二框架部分共享并且连接所述第一框架部分和所述第二框架部分的部分,其中,所述第二框架部分被从布置在所述第一框架部分的所占区域内的状态重定位到所述第一框架部分的所占区域之外。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,形成框架的步骤包括:

将所述第二框架部分形成为具有布置在所述第一框架部分的所占区域内的第一初始位置;以及

然后将所述第二框架部分从所述第一框架部分的所占区域内的所述第一初始位置折叠、弯曲或通过旋转而形成到其中所述第二框架部分处于所述第一框架部分的所占区域之外的第二位置。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,形成框架的步骤包括将所述第一框架部分形成为包括多个侧壁,所述多个侧壁限定所占区域并且至少部分地围绕所述第一框架部分的内部区域,所述第二框架部分在所述第二框架部分被重定位到所述第一框架部分的所占区域之外之前初始布置在所述内部区域中。

4.根据权利要求3所述的方法,其中:

所述内部区域至少部分地由所述第一框架部分的所述多个侧壁限定;并且/或者形成框架的步骤包括将所述第二框架部分形成为具有布置在所述第一框架部分的所述内部区域内的所占区域。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,形成框架的步骤包括将所述公共侧壁形成为具有可弯曲的枢轴部分,所述可弯曲的枢轴部分将所述第二框架部分连接到所述第一框架部分,所述可弯曲的枢轴部分能够弯曲以允许所述第二框架部分被重定位到所述第一框架部分的所占区域之外。

6.根据权利要求5所述的方法,其中:

所述可弯曲的枢轴部分能够在其中所述第二框架部分被布置在所述第一框架部分的所占区域内的大致直的构造与其中所述第二框架部分被重定位到所述第一框架部分的所占区域之外的弯曲构造之间弯曲;并且/或者

形成框架的步骤包括弯曲所述可弯曲的枢轴部分并且将所述第二框架部分相对于所述第一框架部分旋转大约180度,使得所述第一框架部分和所述第二框架部分以共面的方式大致对齐。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其中:

形成框架的步骤包括将所述公共侧壁的至少一部分相对于所述第一框架部分和所述第二框架部分的上表面折叠大约90度,使得所述第一框架部分和所述第二框架部分利用将所述第二框架部分连接到所述第一框架部分的可弯曲的枢轴部分共享所述公共侧壁;并且/或者

形成框架的步骤包括在单个材料件中冲压用于所述第一框架部分和所述第二框架部分的轮廓,并且然后将所冲压的材料件折叠。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法,其中,形成框架的步骤包括形成第三框架部分,所述第三框架部分具有布置在所述第二框架部分的内部区域内的所占区域,并且第二公共侧壁的至少一部分由所述第二框架部分和所述第三框架部分共享并且连接所述第二框架部分和所述第三框架部分,其中,所述第三框架部分被重定位使得所述第三框架部分的所占区域位于所述第二框架部分的所述内部区域之外。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,形成框架的步骤包括套筒式折叠处理,所述套筒式折叠处理用于将内部框架部分重定位到至少所述第一框架部分的所占区域之外。

10.一种与为基板上的一个或多个组件提供电磁干扰(EMI)屏蔽相关的方法,所述方法包括:

形成材料件,所述材料件具有第一框架部分和初始布置在所述第一框架部分的所占区域内的第二框架部分,并且公共侧壁部分由所述第一框架部分和所述第二框架部分共享并且连接所述第一框架部分和所述第二框架部分,其中,所述第二框架部分被重定位到所述第一框架部分的所占区域之外;以及

将至少一个盖附接到所述第一框架部分和所述第二框架部分中的至少一个。

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