[发明专利]等离子体蚀刻装置部件及其制造方法

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻装置部件，其包括：

基材；和

通过冲击烧结方法形成的、并构造为覆盖所述基材的表面的氧化钇涂层，

其中所述氧化钇涂层包含由氧化钇制得的颗粒部分和由氧化钇制得的非颗粒部分的至少一种，其中所述颗粒部分是在显微镜下观察到分隔晶粒内部区域和外部区域的晶粒边界的部分，所述非颗粒部分是在显微镜下未观察到晶粒边界的部分，

所述氧化钇涂层的膜厚度为10μm或以上，膜密度为90%或以上，并且

当在显微镜下观察所述氧化钇涂层的表面时，在20μm×20μm的观察视野中，所述颗粒部分的面积覆盖率为0～80%，所述非颗粒部分的面积覆盖率为20～100%。

2.权利要求1的等离子体蚀刻装置部件，其中所述氧化钇涂层中的氧化钇的纯度为99.9%或以上。

3.权利要求1或2的等离子体蚀刻装置部件，其中所述氧化钇涂层中的氧化钇的纯度为99.99%或以上。

4.权利要求1～3之一的等离子体蚀刻装置部件，其中所述氧化钇涂层的膜厚度为10～200μm，膜密度为99～100%。

5.权利要求1～4之一的等离子体蚀刻装置部件，其中所述氧化钇涂层中的颗粒部分的平均粒径为2μm或以下。

6.权利要求1～5之一的等离子体蚀刻装置部件，其中所述氧化钇涂层中的颗粒部分和非颗粒部分的平均粒径为5μm或以下。

7.权利要求1～6之一的等离子体蚀刻装置部件，其中当立方晶体的最强峰的峰值表示为Ic，单斜晶体的最强峰的峰值表示为Im时，所述氧化钇涂层的峰值比Im/Ic为0.2～0.6，其中两个峰值均通过XRD分析得到。

8.权利要求1～7之一的等离子体蚀刻装置部件，其中所述氧化钇涂层的表面粗糙度Ra为3μm或以下。

9.一种用于制造等离子体蚀刻装置部件的方法，所述部件包括：

基材，和

通过冲击烧结方法形成的、并构造为覆盖基材表面的氧化钇涂层，所述制造方法包括：

向从燃烧室喷射出的燃烧火焰提供包含氧化钇基料粉末的原料浆料的步骤；和

以400～1000m/sec的喷射速度将燃烧火焰中的氧化钇基料粉末喷射于基材表面的步骤。

10.权利要求9的用于制造等离子体蚀刻装置部件的方法，其中所述原料浆料中的氧化钇基料粉末被提供给燃烧火焰的中心部分。

11.权利要求9或10的用于制造等离子体蚀刻装置部件的方法，其中所述原料浆料中的氧化钇基料粉末的平均粒径为1～5μm。

12.权利要求9～11之一的用于制造等离子体蚀刻装置部件的方法，其中所述氧化钇涂层的膜厚度为10μm或以上。

13.权利要求9～12之一的用于制造等离子体蚀刻装置部件的方法，其中在以400～1000m/sec的喷射速度将燃烧火焰中的氧化钇基料粉末喷射于基材表面的步骤中，

将燃烧火焰中的氧化钇基料粉末从膜沉积装置的喷嘴尖部向基材的表面喷射；并且

喷嘴的尖部与基材表面之间的喷射距离为100～400mm。

14.权利要求9～13之一的用于制造等离子体蚀刻装置部件的方法，其中所述原料浆料中的氧化钇基料粉末的含量为30～80体积%。