[发明专利]用于拉伸应变应用上的高拉伸硅合金的外延法

权利要求书

1.一种在衬底上形成膜的方法，所述方法包含以下步骤：

将衬底定位于处理腔室内；

加热所述衬底达一温度，所述温度是在从约550摄氏度至约750摄氏度的范围内；

将一或多种工艺气体导进所述处理腔室，所述一或多种工艺气体包含硅源以及磷源；以及

在所述衬底上沉积实质上无碳的硅外延层，所述实质上无碳的硅外延层具有磷浓度，所述磷浓度为每立方厘米约1x10²¹个原子或更大，其中所述实质上无碳的硅外延层在约150托或更大的腔室压力下沉积。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述腔室压力是约300托或更大。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述硅前驱物是二氯硅烷。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述磷前驱物是膦。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述温度是在从约600摄氏度至约650摄氏度的范围内。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述硅前驱物是甲硅烷或乙硅烷。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述硅外延层具有拉伸应变，所述拉伸应变为约1GPa至约1.5Gpa。

8.一种在衬底上形成膜的方法，所述方法包含以下步骤：

将衬底定位于处理腔室内；

加热所述衬底达一温度，所述温度是在从约600摄氏度至约650摄氏度的范围内；

将一或多种工艺气体导进所述处理腔室，所述一或多种工艺气体包含硅源以及磷源；以及

在所述衬底上沉积实质上无碳的硅外延层，所述实质上无碳的硅外延层具有磷浓度，所述磷浓度为每立方厘米约1x10²¹个原子或更大，其中所述实质上无碳的硅外延层在约300托或更大的腔室压力下沉积。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述硅外延层具有拉伸应变，所述拉伸应变为约1GPa至约1.5Gpa。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述硅前驱物是甲硅烷或乙硅烷。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述磷前驱物是膦。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述硅前驱物是二氯硅烷。

13.一种在衬底上形成膜的方法，所述方法包含以下步骤：

将衬底定位于处理腔室内；

加热所述衬底达一温度，所述温度是在从约550摄氏度至约750摄氏度的范围内；

将膦与至少一个甲硅烷或乙硅烷导入所述处理腔室；以及

在所述衬底上沉积实质上无碳的硅外延层，所述实质上无碳的硅外延层具有每立方厘米约1x10²¹个原子或更大的磷浓度，其中所述实质上无碳的硅外延层在约150托或更大的腔室压力下沉积。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述腔室压力是约300托或更大。

15.如权利要求4所述的方法，其中所述温度是在从约600摄氏度至约650摄氏度的范围内，并且其中所述硅外延层具有拉伸应变，所述拉伸应变为约1GPa至约1.5Gpa。