[发明专利]包含镧系金属的聚杂硅氧烷组合物无效

申请号：	201180066986.7	申请日：	2011-12-22
公开（公告）号：	CN103354823A	公开（公告）日：	2013-10-16
发明（设计）人：	大卫·德沙泽尔;马丁·格拉斯曼;刘立志;刘南国;E·麦克奎斯顿;S·K·米利;R·施密特	申请（专利权）人：	道康宁公司
主分类号：	C08G77/58	分类号：	C08G77/58
代理公司：	北京安信方达知识产权代理有限公司 11262	代理人：	武晶晶;郑霞
地址：	美国密***	国省代码：	美国;US
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摘要：
搜索关键词：	包含金属聚杂硅氧烷组合
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【权利要求书】：

1.一种聚杂硅氧烷组合物，其包含：

(A)第一金属(M1)、

(B)第二金属(M2)、

(C)具有式(R¹₃SiO_1/2)、(R¹₂SiO_2/2)、(R¹SiO_3/2)和/或(SiO_4/2)的甲硅烷氧基单元

其中R¹独立地为包含1至30个碳原子的烃基或卤代烃基，

其中，(A)、(B)和(C)相对于彼此的摩尔分数由式[(M1)]_a[(M2)]_b[R¹₃SiO_1/2]_m[R¹₂SiO_2/2]_d[R¹SiO_3/2]_t[SiO_4/2]_q表示，

其中，a为0.001至0.9，b为0.001至0.9，m为0至0.9，d为0至0.9，t为0至0.9，以及q为0至0.9，

其中，m、d、t和q不能都为0，并且a+b+m+d+t+q的和≈1，并且

其中(M1)和(M2)中的至少一者为镧系金属，

其中所述组合物具有至少0.05%的量子产率。

2.根据权利要求1所述的聚杂硅氧烷组合物，其中(M1)和(M2)中的一者为非镧系金属，(M1)和(M2)中的另一者为镧系金属。

3.根据权利要求2所述的聚杂硅氧烷组合物，其中(A)、(B)和(C)相对于彼此的摩尔分数由式[(M1)]_a[(M2)]_b[R¹₂SiO_2/2]_d[R¹SiO_3/2]_t表示，其中(M1)为非镧系金属以及a为0.1至0.9，其中(M2)为镧系金属以及b为0.001至0.5，并且其中d和t中的每一个独立地为0.1至0.9。

4.根据前述权利要求中任一项所述的聚杂硅氧烷组合物，其中(M1)选自Ti、Zr、Al、Ge、Ta、Nb、Sn、Hf、In、Sb、Fe、V、Sb、W、Te、Mo、Ga、Cu、Cr、Mg、Ca、Ba、Sr、Y和Sc。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的聚杂硅氧烷组合物，其中(M1)选自Ti、Zr或Al。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的聚杂硅氧烷组合物，其中(M1)为Ti。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的聚杂硅氧烷组合物，其中(M1)为Ti，(M2)包含Eu和Zn。

8.根据权利要求1所述的聚杂硅氧烷组合物，其中(M1)和(M2)均为各自独立选择的镧系金属。

9.根据权利要求8所述的聚杂硅氧烷组合物，其中(A)、(B)和(C)相对于彼此的摩尔分数由式[(M1)]_a[(M2)]_b[R¹₂SiO_2/2]_d[R¹SiO_3/2]_t表示，其中a和b各自独立地为0.001至0.5，并且其中d和t中的每一个独立地为0.1至0.9。

10.根据权利要求9所述的聚杂硅氧烷组合物，其中(M1)和(M2)各自独立地选自Gd、Tb、Dy、Ho、Tm和Lu。

11.根据权利要求9所述的聚杂硅氧烷组合物，其中(M1)和(M2)各自独立地选自Eu、Yb、Er、Nd、Dy、Sm或Tb。

12.根据前述权利要求中任一项所述的聚杂硅氧烷组合物，其具有至少10%的量子产率。

13.根据前述权利要求中任一项所述的聚杂硅氧烷组合物，其具有至少60%的量子产率。

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