[发明专利]半导体层叠体、半导体装置，以及它们的制造方法

权利要求书

1.半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有由半导体元素形成的半导体层或基材、以及所述半导体层或基材上的第1掺杂剂注入层，

所述半导体装置的制造方法包含下述工序（a）～（c），且

第1掺杂剂注入层的晶体取向与所述半导体层或基材的晶体取向相同，且/或所述掺杂剂的浓度，在从所述第1掺杂剂注入层的表面至0.1μm深度中为1×10²⁰atoms/cm³以上，且在从所述第1掺杂剂注入层的表面至0.3μm深度中，其浓度为深度0.1μm的1/10以下；

工序（a）～（c）：

（a）对所述半导体层或基材的第1部位适用含有第1粒子的第1分散体，这里，所述第1粒子本质上由与所述半导体层或基材相同的元素形成，且通过p型或n型掺杂剂进行了掺杂；

（b）将适用的所述第1分散体干燥，形成第1未烧结掺杂剂注入层；以及

（c）通过对所述第1未烧结掺杂剂注入层进行光照射，将所述半导体层或基材的所述第1部位通过所述p型或n型掺杂剂进行掺杂，同时使所述第1未烧结掺杂剂注入层烧结，形成与所述半导体层或基材一体化的第1掺杂剂注入层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第1掺杂剂注入层的晶体取向与所述半导体层或基材的晶体取向相同。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂剂的浓度，在从所述第1掺杂剂注入层的表面至0.1μm深度中为1×10²⁰atoms/cm³以上，且在从所述第1掺杂剂注入层的表面至0.3μm深度中，其浓度为深度0.1μm的1/10以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其进一步包含下述工序（a’）～（c’），且

第2掺杂剂注入层的晶体取向与所述半导体层或基材的晶体取向相同，且/或掺杂剂的浓度，在从所述第2掺杂剂注入层的表面至0.1μm深度中为1×10²⁰atoms/cm³以上，且在从所述第2掺杂剂注入层的表面至0.3μm深度中，其浓度为深度0.1μm的1/10以下，

下述工序（a’）～（c’）：

（a’）与工序（a）同时、在工序（a）和（b）之间、或在工序（b）和（c）之间，对所述半导体层或基材的第2部位适用含有第2粒子的第2分散体，这里，所述第2粒子本质上由与所述半导体层或基材相同的元素形成，且通过与所述第1粒子的掺杂剂不同类型的掺杂剂进行了掺杂，

（b’）与工序（b）同时或与工序（b）分开地，将适用的所述第2分散体干燥，形成第2未烧结掺杂剂注入层；以及

（c’）与工序（c）同时或与工序（c）分开地，对所述第2未烧结掺杂剂注入层进行光照射，从而将所述半导体层或基材的所述第2部位通过p型或n型掺杂剂进行掺杂，同时使所述第2未烧结掺杂剂注入层烧结，形成与所述半导体层或基材一体化的第2掺杂剂注入层。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其在工序（c）之后，进一步包含下述工序（a”）～（c”），且

所述第2掺杂剂注入层的晶体取向与所述半导体层或基材的晶体取向相同，且/或掺杂剂的浓度，在从所述第2掺杂剂注入层的表面至0.1μm深度中为1×10²⁰atoms/cm³以上，且在从所述第2掺杂剂注入层的表面至0.3μm深度中，其浓度为深度0.1μm的1/10以下，

工序（a”）～（c”）：

（a”）对所述半导体层或基材的第2部位适用含有第2粒子的第2分散体，这里，所述第2粒子本质上由与所述半导体层或基材相同的元素形成，且通过与所述第1粒子的掺杂剂不同类型的的掺杂剂进行了掺杂；

（b”）将适用的所述第2分散体干燥，形成第2未烧结掺杂剂注入层；以及

（c”）通过对所述第2未烧结掺杂剂注入层进行光照射，将所述半导体层或基材的所述第2选择部位通过p型或n型掺杂剂进行掺杂，同时使第2未烧结掺杂剂注入层烧结，形成与所述半导体层或基材一体化的第2掺杂剂注入层。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其中，所述半导体元素为硅、锗或它们的组合。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其中，通过印刷法或旋转涂布法进行所述分散体的适用。