[发明专利]单结晶基板制造方法及内部改质层形成单结晶部件有效
| 申请号： | 201180067352.3 | 申请日： | 2011-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN103380482A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 国司洋介;铃木秀树;松尾利香;池野顺一 | 申请（专利权）人： | 信越聚合物株式会社;国立大学法人埼玉大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B23K26/40;B28D5/00;H01L21/268;H01L21/301;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张敬强;严星铁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结晶 制造 方法 内部 改质层 形成 部件 | ||
【权利要求书】：
1.一种单结晶基板制造方法，其特征在于，
具有下述工序：
在单结晶部件上非接触地配置激光聚光单元的工序；
利用上述激光聚光单元，向上述单结晶部件表面照射激光，在上述单结晶部件内部对上述激光进行聚光的工序；
使上述激光聚光单元与上述单结晶部件相对移动，在上述单结晶部件内部形成平面状的改质层的工序；以及
通过将由上述改质层分隔的单结晶层从上述单结晶层与上述改质层的界面剥离，形成单结晶基板的工序。
2.根据权利要求1所述的单结晶基板制造方法，其特征在于，
作为上述改质层，形成与上述激光的照射轴平行的裂纹部的集合体。
3.根据权利要求1所述的单结晶基板制造方法，其特征在于，
上述界面是上述改质层的两面侧中的、上述激光的被照射侧的界面。
4.根据权利要求1所述的单结晶基板制造方法，其特征在于，
通过上述剥离形成的剥离面是粗面。
5.根据权利要求1所述的单结晶基板制造方法，其特征在于，
在形成上述单结晶基板的工序中，将在表面具有氧化层的金属制基板粘接在上述单结晶层的表面并剥离。
6.一种内部改质层形成单结晶部件，其特征在于，
具备：由与上述激光的照射轴平行的裂纹部的集合体构成的平面状的改质层，该裂纹部的集合体利用从单结晶部件的外部照射并在该单结晶部件的内部聚光的激光形成；以及与上述改质层邻接的单结晶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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