[发明专利]用于制造至少一个光电子半导体器件的方法有效
申请号: | 201180067520.9 | 申请日: | 2011-12-21 |
公开(公告)号: | CN103348498A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | T.格布尔;H-C.加尔迈尔;H.布伦纳;K.彼得森 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/54;H01L33/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;刘春元 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 至少 一个 光电子 半导体器件 方法 | ||
技术领域
说明一种用于制造至少一个光电子半导体器件的方法以及一种光电子半导体器件。
发明内容
要解决的任务在于,说明一种用于制造光电子半导体器件的方法,在该方法中可以通过成本有利的方法和方式制造光电子半导体器件,在该光电子半导体器件中避免辐射损失并且该光电子半导体器件在结构上紧凑和简单。
根据本方法的至少一个实施方式,在第一步骤中提供载体,该载体具有上侧和与该载体的上侧相对的下侧。该载体例如可以是(印刷电路)板,其用例如塑料或陶瓷材料的电绝缘材料形成。同样可以考虑的是,该载体是柔性的并且例如被构造为薄膜。
在上侧和下侧处分别构造出通过该载体的一部分外面形成的面。下侧处的面是该载体的外面的、在载体已安装的状态下朝向接触载体—例如印刷电路板—的部分。
例如,载体下侧处的面是可用于在所述接触载体上安装稍后的半导体器件的安装面。此外,该载体具有多个在横向方向上并排布置在上侧处的连接面。在该背景下,在“横向方向”上是指在与载体的主延伸方向平行的方向上。“并排”例如意味着在横向方向上的连接部可以彼此有间距地布置。
根据本方法的至少一个实施方式,在下一个步骤中在载体上侧处施加多个在横向方向上彼此有间距布置的光电子半导体芯片。这些光电子半导体芯片分别具有至少一个背向载体的接触面。例如,在横向方向上存在各个光电子器件之间的空隙。在对载体的俯视图中,这些空隙通过两个分别彼此邻接的光电子器件的侧面和在载体上侧处的朝向半导体芯片的面来限制。所述至少一个接触面用于对光电子半导体芯片进行电接触,并且用例如金属的导电材料形成。优选的,向光电子半导体芯片的每个接触面明确或一对一地分配载体的连接面。例如,连接面和光电子半导体芯片在横向方向上并排布置。例如,利用载体的接触部将光电子半导体芯片与背向接触面的外面通过焊接、接合或粘接导电连接。
光电子半导体芯片可以是发光二极管芯片。该发光二极管芯片可以是发射从紫外光到红外光范围的辐射的光或激光二极管芯片。优选地,发光二极管芯片发射在电磁辐射的可见或紫外光谱范围内的光。
根据本方法的至少一个实施方式,在下一个步骤中将至少一个反射性包封施加在载体的露出部位以及光电子半导体芯片的侧面上。“反射性”尤其是指,该反射性包封对于出现在该包封上的、由半导体芯片在运行中产生的电磁辐射至少反射到90%、优选反射到超过95%。例如,对于外部观察者来说,该反射性包封显现为白色。例如,在该反射性包封中引入反射辐射的颗粒,这些颗粒例如用材料TiO2、BaSO4、ZnO、Al2O3、ZrO2中的至少一种形成或者包含上述材料之一。光电子半导体芯片的侧面在横向方向上限制相应的半导体芯片。例如,这些侧面与载体和/或半导体芯片的主延伸方向横向地伸展。优选的,在反射性包封这一方与光电子半导体芯片的侧面以及载体的露出部位另一方之间既没有构造出间隙也没有构造出中断。
根据本方法的至少一个实施方式中,在下一个步骤中将开口引入反射性包封中,所述开口完全穿透该反射性包封并且从该反射性包封的背向载体的上侧朝着该载体的上侧方向延伸。优选地,接触面和分配给该接触面的开口在竖直方向上至少局部地重叠。“竖直方向”是与载体的主延伸方向横向或垂直的方向。例如,这些开口具有至少一个侧面、底面和与底面相对的顶面,其中该侧面将该底面与该顶面彼此连接。开口的至少一个侧面至少局部地通过反射性包封形成,其中底面至少局部地通过接触面形成。
根据本方法的至少一个实施方式,在下一个步骤中在反射性包封上以及至少局部地在开口中布置导电材料,其中该导电材料分别将接触面与分配给该接触面的连接面导电连接。也就是说,该导电材料分别导电地将光电子半导体芯片与分配给该半导体芯片的载体连接面连接,并且在此在该光电子半导体芯片与该连接面之间至少局部地在反射性包封的背向载体的上侧处伸展。该导电材料在此可以局部地被直接布置在反射性包封的外面上。例如,该导电材料用金属或导电粘接剂形成。优选的,光电子半导体芯片与分配给该光电子半导体芯片的载体连接面之间的导电连接完全通过该导电材料形成。所述开口可以完全或部分地用该导电材料填充。
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