[发明专利]用于在大面积上产生纳米结构的系统和方法有效
申请号: | 201180068248.6 | 申请日: | 2011-12-20 |
公开(公告)号: | CN103403621A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | H.索拉克;F.克鲁贝 | 申请(专利权)人: | 尤利塔股份公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李晨 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 大面积 产生 纳米 结构 系统 方法 | ||
1.一种用于向光敏层中印刷周期性特征的期望图案的方法,包括步骤:
a)提供承载所述光敏层的衬底;
b)提供承载周期性特征的掩膜图案的掩膜;
c)接近于所述掩膜布置所述衬底,并且使得其相对于所述衬底在与之正交的第一平面中具有倾斜角;
d)提供用于对所述掩膜图案进行照明的基本准直光,从而在分隔开泰伯距离的泰伯平面之间产生由一范围的横向强度分布组成的透射光场,并且使得所述透射光场在所述第一平面中具有强度包络;
e)用所述光对所述掩膜进行照明,同时使所述衬底相对于所述掩膜在基本平行于所述第一平面和所述衬底二者的方向上移位,由此将所述期望图案印刷到所述光敏层中;
其中,所述倾斜角和所述强度包络是相对于所述泰伯距离布置的,使得所述光敏层基本暴露于横向强度分布的范围的平均。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述掩膜图案包括平行线和空间的一维图案,并且所述衬底另外被布置成使得所述第一平面平行于所述线。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述掩膜图案包括具有周期的平行线和空间的一维图案,并且所述衬底另外被布置成使得所述第一平面正交于所述线,并且所述方法另外包括进行布置使得以具有时间段的脉冲来输送对掩膜进行照明的光,所述时间段被选择成使得所述衬底在所述时间段期间以等于所述周期的一半或所述周期的一半的整数倍的距离移位。
4.根据权利要求1所述的方法,所述掩膜图案包括具有周期的平行线和空间的一维图案,并且所述衬底另外被布置成使得所述第一平面相对于所述线处于斜角,并且所述方法另外包括进行布置使得以具有时间段的脉冲来输送对掩膜进行照明的光,所述时间段被选择成使得所述衬底在所述时间段期间以一距离移位,使得由相继脉冲印刷到所述衬底上的期望图案的线是叠加的。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述掩膜图案包括在一方向上具有周期的特征的二维图案,并且所述衬底被布置成使得所述第一平面平行于所述方向,并且所述方法另外包括进行布置使得以具有时间段的脉冲来输送对掩膜进行照明的光,所述时间段被选择成使得所述衬底在所述时间段期间以一距离移位,所述距离对应于所述周期或其整数倍。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述强度包络被布置成在光束宽度上是基本均匀的,并且所述倾斜角被布置成在所述光束宽度上产生所述掩膜与所述衬底之间的间隔的基本线性变化,其对应于所述泰伯距离或其整数倍。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述强度包络被布置成在光束宽度上是基本均匀的,并且所述倾斜角被布置成在所述光束宽度上产生掩膜与衬底之间的间隔的基本线性变化,其比所述泰伯距离大得多。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述强度包络被布置成基本是高斯的,具有半峰全宽光束宽度,并且所述倾斜角被布置成在所述光束宽度上产生所述掩膜与所述衬底之间的间隔的变化,其基本至少对应于所述泰伯距离。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述强度包络具有半峰全宽值,并且所述倾斜角被布置成在所述光束宽度上产生所述掩膜与所述衬底之间的间隔的变化,其基本至少对应于所述泰伯距离。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述衬底相对于所述掩膜的位移是由所述掩膜和照明光的实际位移产生的,同时,所述衬底保持固定。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述衬底另外被布置成在正交于所述第一平面且正交于所述衬底的第二平面中基本平行于所述掩膜。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述期望图案和掩膜图案两者的周期性特征是精确地周期性的或者是准周期性的。
13.根据权利要求1所述的方法,其中,所述周期性特征的期望图案包括具有不同周期的多个子图案,所述掩膜图案包括具有不同周期的多个子图案,其中,每个子图案产生由以泰伯距离间隔开的泰伯平面组成的光场,并且其中,所述倾斜角和所述强度包络被相对于所述光场与具有最大周期的子图案的泰伯距离布置。
14.根据权利要求1所述的方法,其另外包括在所述掩膜与所述衬底之间引入流体。
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