[发明专利]有机分子存储器及其生产方法

权利要求书

1.有机分子存储器，其包含：

第一电极；

第二电极，其具有面对第一电极的表面，且所述表面由不同于第一电极的材料制成；和

在第一电极与第二电极之间提供并具有电阻变化型分子链的有机分子层，其中电阻变化型分子链的一端与第一电极化学键合，且在电阻变化型分子链的另一端与第二电极之间存在空隙。

2.根据权利要求1的有机分子存储器，其中电阻变化型分子链的另一端与第二电极之间的距离为0.2nm或更大且50nm或更小。

3.根据权利要求1的有机分子存储器，其中当电阻变化型分子链的一端为硫醇基团时，与该一端化学键合的第一电极的区域为金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钨(W)、氮化钨(WN)、一氮化钽(TaN)或一氮化钛(TiN)，面对另一端的第二电极的区域为钽(Ta)、钼(Mo)、氮化钼(MoN)或硅(Si)，

当电阻变化型分子链的一端为醇基或羧基时，与该一端化学键合的第一电极的区域为钨(W)、氮化钨(WN)、钽(Ta)、一氮化钽(TaN)、钼(Mo)、氮化钼(MoN)或一氮化钛(TiN)，面对另一端的第二电极的区域为金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)或硅(Si)，且

当电阻变化型分子链的一端为硅烷醇基团时，与该一端化学键合的第一电极的区域为硅(Si)或金属氧化物，面对另一端的第二电极的区域为金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钨(W)、氮化钨(WN)、钽(Ta)、一氮化钽(TaN)、钼(Mo)、氮化钼(MoN)或一氮化钛(TiN)。

4.根据权利要求1的有机分子存储器，其中电阻变化型分子链为4-[2-氨基-5-硝基-4-(苯基乙炔基)苯基乙炔基]苯硫酚的衍生物。

5.有机分子存储器，其包含：

第一电极布线；

与第一电极布线交叉且由不同于第一电极布线的材料制成的第二电极布线；和

在第一电极布线与第二电极布线之间，在第一电极布线与第二电极布线之间的交叉部分提供的有机分子层，其中包含在有机分子层中的电阻变化型分子链的一端与第一电极布线化学键合，且在电阻变化型分子链的另一端与第二电极布线之间存在空隙。

6.根据权利要求5的有机分子存储器，其中电阻变化型分子链另一端与第二电极布线之间的距离为0.2nm或更大且50nm或更小。

7.根据权利要求5的有机分子存储器，其中当电阻变化型分子链的一端为硫醇基团时，与该一端化学键合的第一电极布线的区域为金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钨(W)、氮化钨(WN)、一氮化钽(TaN)或一氮化钛(TiN)，面对另一端的第二电极布线的区域为钽(Ta)、钼(Mo)、氮化钼(MoN)或硅(Si)，

当电阻变化型分子链的一端为醇基或羧基时，与该一端化学键合的第一电极布线的区域为钨(W)、氮化钨(WN)、钽(Ta)、一氮化钽(TaN)、钼(Mo)、氮化钼(MoN)或一氮化钛(TiN)，面对另一端的第二电极布线的区域为金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)或硅(Si)，且

当电阻变化型分子链的一端为硅烷醇基团时，与该一端化学键合的第一电极布线的区域为硅(Si)或金属氧化物，面对另一端的第二电极布线的区域为金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钨(W)、氮化钨(WN)、钽(Ta)、一氮化钽(TaN)、钼(Mo)、氮化钼(MoN)或一氮化钛(TiN)。

8.根据权利要求5的有机分子存储器，其中第一电极布线垂直于第二电极布线。

9.根据权利要求5的有机分子存储器，其中电阻变化型分子链为4-[2-氨基-5-硝基-4-(苯基乙炔基)苯基乙炔基]苯硫酚的衍生物。