[发明专利]具扩充型电荷捕获层的存储器

权利要求书

1.一种存储器阵列，其包含：

多个位线；以及

多个字线，其包括第一字线与第二字线，其中，该第一字线包含相邻于第一电荷捕获层并且相邻于第一分隔物的第一栅极区，其中，该第二字线包含相邻于第二电荷捕获层并且相邻于第二分隔物的第二栅极区，其中，该第一电荷捕获层宽于该第一字线并且该第二电荷捕获层宽于该第二字线，其中，进一步介于该第一和第二分隔物与第一和第二电荷捕获层之间的区域以介电质材料予以填充。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中，该第一与第二电荷捕获层的每一个包含氮化物层。

3.根据权利要求2所述的存储器阵列，其中，该第一与第二电荷捕获层的每一个进一步包含第一氧化物层和第二氧化物层，其中，该第一和第二电荷捕获层的每一个的该氮化物层分别介于该第一和第二电荷捕获层的该第一和第二氧化物层之间。

4.根据权利要求3所述的存储器阵列，其进一步包含在该第一和第二电荷捕获层的氮化物层的每一端部上形成的氧化区，其中，该氧化区未扩充超出所述氮化物层的边缘到该第一和第二氧化物层。

5.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中，该第一和第二栅极区的每一个包含多晶硅。

6.根据权利要求1所述的存储器阵列，其进一步包含具有源极/漏极区形成于其内的衬底，其中，该源极/漏极区置于该第一与第二电荷捕获区之间。

7.一种存储器装置，其包含：

多个位线；以及

多个字线，其含有第一字线和第二字线，其中，该第一字线包含相邻于与第一分隔物相邻的第一电荷捕获区的第一多晶硅区，以及其中，该第二字线包含相邻于第二电荷捕获区并且相邻于第二分隔物的第二多晶硅区，其中，该第一和第二多晶硅区的分开距离大于分开该第一与第二电荷捕获区的距离，其中，进一步介于该第一和第二分隔物与该第一和第二电荷捕获区之间的区域以介电质材料予以填充。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，该第一电荷捕获区和该第二电荷捕获区的每一个包含氮化物层。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，该第一电荷捕获区和该第二电荷捕获区的每一个进一步包含第一氧化物层和第二氧化物层。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其进一步包含形成于该第一和第二电荷捕获区的氮化物层的每一端部上的氧化物区，其中，该氧化物区未扩充超出所述氮化物层的边缘到该第一和第二氧化物层。

11.根据权利要求7所述的存储器装置，其进一步包含具有源极/漏极区形成于其内的衬底，其中，该源极/漏极区置于该第一与第二电荷捕获区之间。

12.一种存储器装置，其包含：

衬底；

第一栅极区和相邻的第一分隔物；

第二栅极区和相邻的第二分隔物；

介于该衬底与该第一栅极区之间的第一电荷捕获区，其中，该第一电荷捕获区扩充超出该第一栅极区的边缘；以及

介于该衬底与该第二栅极区之间的第二电荷捕获区，其中，该第二电荷捕获区扩充超出该第二栅极区的边缘，其中，进一步介于该第一和第二分隔物与该第一和第二电荷捕获区之间的区域以介电质材料予以填充。

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，该第一和第二电荷捕获区的每一个包含氮化物层。

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，该第一和第二电荷捕获区的每一个进一步包含第一氧化物层和第二氧化物层，其中，该氮化物层介于该第一与第二氧化物层之间。

15.根据权利要求14所述的存储器装置，其进一步包含：

介于该第一栅极区与该第一分隔物之间的氧化物区；以及

在该第一和第二电荷捕获区的氮化物层的每一端部上所形成的额外氧化物区，其中，所述氧化物区终止于所述氮化物层的边缘并且未重叠该第一和第二氧化物层。

16.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，该第一和第二栅极区的每一个包含多晶硅。

17.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，该衬底包含源极/漏极区，其中，该源极/漏极区相邻该第一和第二电荷捕获区。