[发明专利]键合线及其制造方法有效
| 申请号： | 201180068538.0 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103597590A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 长谷川刚 | 申请（专利权）人： | 大自达电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01B5/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 键合线 及其 制造 方法 | ||
1.键合线，其是用于通过球焊法将集成电路元件的电极（a）与电路配线基板的导体配线（c）连接的线径L在50.8μm以下的键合线（W），其中，芯材（1）由纯度为99.99质量％以上的铜和不可避免的杂质构成，该芯材（1）外周的整个面上形成有由Pd构成的厚度t2为0.010～0.090μm的被覆层（2），且在炉温度为400℃以上、800℃以下，线行进速度为30～90m/分的条件下进行调质热处理，使由室温下的拉伸试验测得的拉伸强度TSR与由250℃下的拉伸试验测得的拉伸强度TSH之比即HR＝TSH/TSR×100为50～70％，由所述铜构成的芯材（1）的重结晶组织与粗大化的二次重结晶组织的边界难以发生。
2.根据权利要求1所述的键合线，其特征在于，所述芯材（1）含有10～50质量ppm的P。
3.根据权利要求1或2所述的键合线，其特征在于，所述被覆层（2）的外周部上具有碳浓度为1～80质量％的碳浓缩层（3），该碳浓缩层（3）的厚度t3为0.0001～0.0005μm。
4.键合线的制造方法，其是权利要求3所述的键合线（W）的制造方法，在该方法中，在所述芯材（1）上被覆Pd、对该被覆线进行扩散热处理、提高芯材（1）与被覆层（2）的密着性后，涂布润滑剂，拉丝，之后，使该拉丝经过清洗工序，在隔氧状态下进行所述调质热处理，调整所述清洗工序的清洗程度，由此在所述被覆层（2）的表面形成由所述润滑剂构成的所述碳浓缩层（3）。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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