[发明专利]半导体发光器件及用于制造其的方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

半导体层，其包括具有不平坦性的第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、以及发光层，所述半导体层包括氮化镓；

p侧电极，其被设置在包括所述发光层的区域中的所述第二表面上；

n侧电极，其被设置在不包括所述发光层的区域中的所述第二表面上；以及

无机膜，其被设置为遵从所述第一表面的所述不平坦性并且与所述第一表面接触，所述无机膜的主要成分为硅和氮，而且所述无机膜的折射率介于氮化镓的折射率和空气的折射率之间，

不平坦性也被形成在所述无机膜的表面中。

2.根据权利要求1所述的器件，还包括被设置在所述半导体层周围的绝缘层，所述绝缘层包括与所述半导体层的第一表面面向同一方向的第一表面，

所述无机膜还被设置在所述绝缘层的第一表面上。

3.根据权利要求1所述的器件，还包括透明体，所述透明体被设置在所述半导体层的第一表面上，而所述无机膜被置于其间，所述透明体对于从所述发光层发射的光来说是透明的。

4.根据权利要求3所述的器件，其中，所述透明体包括透明树脂和分散在所述透明树脂中的荧光粉。

5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述透明树脂的折射率介于所述无机膜的折射率和空气的折射率之间。

6.根据权利要求1所述的器件，还包括：

被设置在所述第二表面侧上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括与所述第一p侧电极连通的第一通孔、与所述n侧电极连通的第二通孔、以及被设置在与所述半导体层相对的侧上的互连表面；

p侧互连单元，其被设置在所述第一绝缘层的所述互连表面上，所述p侧互连单元通过所述第一通孔电连接到所述p侧电极；

n侧互连单元，其被设置在远离所述p侧互连单元的所述互连表面上，所述n侧互连单元通过所述第二通孔电连接到所述n侧电极；以及

第二绝缘层，其被设置在所述p侧互接单元和所述n侧互连单元之间。

7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述第二绝缘层比所述半导体层厚。

8.根据权利要求6所述的器件，其中，所述p侧互连单元通过多个所述第一通孔连接到所述p侧电极。

9.根据权利要求6所述的器件，其中：

所述p侧互连单元包括

p侧互连层，其被设置在所述第一通孔内部和所述互连表面上，以及

p侧金属柱，其被设置在所述p侧互连层上，所述p侧金属柱比所述p侧互连层厚；并且

所述n侧互连单元包括

n侧互连层，其被设置在所述第二通孔内部和所述互连表面上，以及

n侧金属柱，其被设置在所述n侧互连层上，所述n侧金属柱比所述n侧互连层厚。

10.根据权利要求9所述的器件，其中，所述n侧互连层的表面面积大于所述n侧电极的表面面积。

11.根据权利要求9所述的器件，其中，所述p侧互连层的平面尺寸大于所述p侧金属柱的平面尺寸。

12.根据权利要求9所述的器件，其中所述p侧金属柱的厚度和所述n侧金属柱的厚度大于所述半导体层的厚度。

13.根据权利要求9所述的器件，其中

所述p侧金属柱包括从所述第一绝缘层和所述第二绝缘层暴露出来的p侧外部端子，并且

所述n侧金属柱包括在与所述p侧外部端子相同的表面处从所述第一绝缘层和所述第二绝缘层暴露出来的n侧外部端子。

14.根据权利要求13所述的器件，其中，被暴露的p侧外部端子与被暴露的n侧外部端子之间的距离大于所述p侧互连层与所述n侧互连层之间的距离。

15.根据权利要求1所述的器件，其中，所述p侧电极的表面面积大于所述n侧电极的表面面积。

16.根据权利要求1所述的器件，其中，所述无机膜的不平坦性被形成以致反映所述半导体层的第一表面的不平坦性。

17.根据权利要求1所述的器件，其中，所述无机膜并不填充所述半导体层的第一表面的不平坦性中的凹陷。