[发明专利]具有等离子体源的原子层沉积

权利要求书

1.一种方法，所述方法包括：

操作等离子体原子层沉积反应器，所述反应器被构造成在反应室中在至少一个基材上通过顺序自饱和表面反应来沉积材料；和

基本上在整个沉积周期期间使来自不活泼气体源的气体流入到朝向反应室开口的变宽的自由基进给部件中。

2.权利要求1的方法，所述方法包括：

在等离子体原子层沉积期的等离子体前体脉冲期期间，使来自不活泼气体源的气体经等离子体源流入所述自由基进给部件，所述气体在该脉冲期期间充当所生成的自由基的载气。

3.权利要求1或2的方法，所述方法包括：

在等离子体原子层沉积期的吹扫期期间，使来自不活泼气体源的气体经所述等离子体源流入所述自由基进给部件，所述气体在该吹扫期期间充当吹扫和惰性保护气体。

4.前述权利要求任一项的方法，所述方法包括：

在等离子体原子层沉积期和热原子层沉积期这两个期间，使来自不活泼气体源的气体经所述等离子体源流入所述自由基进给部件。

5.前述权利要求任一项的方法，所述方法包括：

使来自不活泼气体源的气体经绕过等离子体源的路径流入所述自由基进给部件。

6.权利要求1的方法，所述方法包括：

在等离子体原子层沉积期期间，使来自不活泼气体源的气体经行经等离子体源的路径和经绕过等离子体源的另一个路径二者流入所述自由基进给部件。

7.权利要求1或6的方法，所述方法包括：

在热原子层沉积期期间，使来自不活泼气体源的气体只经绕过等离子体源的路径流入所述自由基进给部件，和

引导来自不活泼气体源并流经等离子体源的气体在该时期期间进入排气管线。

8.前述权利要求任一项的方法，所述方法包括：

在等离子体原子层沉积期期间，引导惰性气体经热原子层沉积进给管线去往所述反应室，所述热原子层沉积进给管线与在等离子体原子层沉积期期间将自由基经其引入所述反应室的等离子体源管线分开。

9.前述权利要求任一项的方法，所述方法包括：

使用可变形的进给部件，所述进给部件能够通过至少一个机械致动器在收缩形状和伸展形状之间变形。

10.权利要求9的方法,其中携带至少一个基材的基材架与所述可变形的进给部件机械联接，并且所述方法包括：

通过使所述可变形进给部件变形，引起所述携带至少一个基材的基材架提升到用于装载或卸载的上部位置。

11.等离子体原子层设备，所述设备包括：

气体管线，其从不活泼气体源到朝向反应室开口的变宽的自由基进给部件；和

控制系统，其被构造成基本上在整个沉积周期期间使来自不活泼气体源的气体流入进给部件，和

等离子体原子层沉积反应器，其被构造成在反应室中通过顺序自饱和表面反应将材料沉积在至少一个基材上。

12.权利要求11的设备，其中所述控制系统被构造成在等离子体原子层沉积期的等离子体前体脉冲期期间，使来自不活泼气体源的气体经等离子体源流入所述自由基进给部件，所述气体在该脉冲期期间充当所生成的自由基的载气。

13.权利要求11或12的设备，其中所述控制系统被构造成在等离子体原子层沉积期的吹扫期期间，使来自不活泼气体源的气体经所述等离子体源流入所述自由基进给部件，所述气体在该吹扫期期间充当吹扫和惰性保护气体。

14.前述权利要求11-13任一项的设备，其中所述控制系统被构造成在等离子体原子层沉积期和热原子层沉积期这两个期间，使来自不活泼气体源的气体经所述等离子体源流入所述自由基进给部件。

15.前述权利要求11-14任一项的设备，其中所述控制系统被构造成使来自不活泼气体源的气体经绕过等离子体源的路径流入所述自由基进给部件。

16.权利要求11的设备，其中所述控制系统被构造成在等离子体原子层沉积期期间，使来自不活泼气体源的气体经行经等离子体源的路径和经绕过等离子体源的另一个路径二者流入所述自由基进给部件。