[发明专利]半导体装置、具备该半导体装置的逆变器装置、以及具备该半导体装置及逆变器装置的车用旋转电机

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

由导电体形成的第一基板；

第一半导体元件，该第一半导体元件的第一电极面通过接合材料电接合在所述第一基板上；

由导电体形成的第二基板，该第二基板与所述第一基板隔开距离；

第二半导体元件，该第二半导体元件与所述第一半导体元件相邻，且该第二半导体元件的第一电极面通过接合材料电接合在所述第二基板上；

第一引线，该第一引线通过接合材料将所述第一半导体元件的第二电极面与所述第二基板电接合；

电流路径构件，该电流路径构件与所述第一基板及所述第二基板都隔开距离，从外部接受所述两个半导体元件的导通电流、或向外部传输所述两个半导体元件的导通电流；

第二引线，该第二引线通过接合材料将所述第二半导体元件的第二电极面与所述电流路径构件电接合；以及

密封材料，该密封材料至少将所述各构成部件进行密封，

所述第二基板的刚性高于所述第一引线及所述第二引线的刚性，

并且，将由所述第一半导体元件与所述第二半导体元件相对的间隙部包含在内的、沿着所述两个半导体元件不相对的方向延伸的边界线与所述第二基板相交，而不与所述第一引线及所述第二引线相交。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二基板与所述边界线上间隙部以外的部分相交。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二基板上与所述边界线相交的部分的刚性低于其它部分的刚性。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第二基板上与所述边界线相交的部分，设有用于吸收应力的弯曲部。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一半导体元件和所述第二半导体元件以所述间隙部为中心而设置成点对称，

所述第一引线从与所述第一半导体元件的接合部开始延伸的方向是所述边界线延伸的一个方向，并且，

所述第二引线从与所述第二半导体元件的接合部开始延伸的方向是所述边界线延伸的另一个方向。

6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二基板上与所述第一引线的接合部、和所述电流路径构件上与所述第二引线的接合部中的至少一个接合部设有突起部。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一引线或所述第二引线上，各自形成的所述两个接合部之间的部分的刚性低于其它部分的刚性。

8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一引线或所述第二引线上，在各自形成的所述接合部之间的部分设有用于吸收应力的弯曲部。

9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件为MOS-FET。

10.一种逆变器装置，其特征在于，

具备权利要求1至9中任一项所述的半导体装置。

11.如权利要求10所述的逆变器装置，其特征在于，包括：

设置在同一平面上且设置在同心圆上的多个所述半导体装置；

与所述半导体装置相比更靠近同心圆内侧的、从所述密封材料露出的所述第一基板的一部分或所述电流路径构件的一部分；以及

设置在所述平面上而与所述露出的一方的一部分相对的一个供电构件，所述一个供电构件与直流电源的一极相连接，并且与2个以上的所述半导体装置的所述露出的一方的一部分电接合。

12.如权利要求11所述的逆变器装置，其特征在于，包括：

相邻设置的一对所述半导体装置，其具有以垂直于所述平面的面为对称面的面对称结构；以及

设置在所述平面上且位于与所述半导体装置相比更靠近同心圆外侧的另一个供电构件，所述另一个供电构件与所述直流电源的另一极相连接，并且与所述露出的另一方的一部分电接合，

所述露出的另一方的一部分与所述另一个供电构件电接合的接合部的位置偏离于将所述同心圆的中心与所述半导体装置的中心相连接的线。

13.一种车用旋转电机，其特征在于，

具备权利要求10至12的任一项所述的逆变器装置。