[发明专利]挠性器件的制造方法及挠性器件

权利要求书

1.一种挠性器件的制造方法，其包含：

在表面具有羟基的支撑体上涂布规定的溶液而形成薄膜的第1工序、

将所述薄膜烧成而形成剥离层的第2工序、

在所述剥离层上形成挠性基板的第3工序、

在所述挠性基板上形成器件的第4工序、和

以所述支撑体与所述剥离层之间为界，从所述支撑体上剥离所述剥离层、所述挠性基板和所述器件的第5工序，

所述规定的溶液含有烷基烷氧基硅烷衍生物和烷氧基钛衍生物，

在所述第2工序中，涂布所述规定的溶液而形成的薄膜的烧成温度为200℃以上350℃以下，

在所述烧成温度为200℃以上且小于270℃的情况下，所述烷基烷氧基硅烷衍生物中含有的硅原子数、与所述烷氧基钛衍生物中含有的钛原子数之比为3.3～4.1：1，

在所述烧成温度为270℃以上330℃以下的情况下，所述比为3.3～23：1，

在所述烧成温度为超过330℃且350℃以下的情况下，所述比为19～23：1。

2.根据权利要求1所述的挠性器件的制造方法，在所述第3工序中，所述挠性基板在所述剥离层上通过涂布法形成。

3.根据权利要求1或2所述的挠性器件的制造方法，在所述第3工序中，所述挠性基板由聚酰亚胺形成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的挠性器件的制造方法，在所述第3工序中，所述挠性基板以膜厚5～60μm的厚度形成。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的挠性器件的制造方法，所述器件含有半导体装置。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的挠性器件的制造方法，所述器件含有显示装置。

7.根据权利要求6所述的挠性器件的制造方法，所述显示装置为有机EL。

8.一种挠性器件，其是通过权利要求1～7中任一项所述的挠性器件的制造方法而制造的。

9.一种挠性器件，其具备：

挠性基板、

位于所述挠性基板的下方的剥离层、

位于所述挠性基板的上方的半导体装置、和

在所述挠性基板的上方且被所述半导体装置控制的显示装置，

所述剥离层含有聚烷基硅氧烷和氧化钛。

10.根据权利要求9所述的挠性器件，所述聚烷基硅氧烷中含有的硅原子数与所述氧化钛中含有的钛原子数之比为3.3～23：1。

11.根据权利要求9或10所述的挠性器件，所述显示装置为有机EL。