[发明专利]MEMS传感器的校准有效

专利信息
申请号: 201180071239.2 申请日: 2011-06-30
公开(公告)号: CN103582607B 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: B.D.霍梅耶尔;R.N.比克内尔 申请(专利权)人: 惠普发展公司;有限责任合伙企业
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;G01H17/00;G01V1/16
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 谢攀,徐红燕
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: mems 传感器 校准
【权利要求书】:

1.一种校准微电子机械系统MEMS传感器的方法,其包括:

激发所述MEMS传感器,其中所述MEMS传感器包括挠曲、电极和处理器;

测量由MEMS传感器的激发所产生的MEMS传感器的响应;

基于已测量的MEMS传感器的响应来确定MEMS传感器的参数;以及

基于已确定的MEMS传感器的参数来校准MEMS传感器;

其中MEMS传感器的参数由MEMS传感器的处理器来确定。

2.如权利要求1所述的方法,进一步包括在激发MEMS传感器之前将MEMS传感器部署在其中将采用MEMS传感器来测量外部刺激的现场环境中,以使得在MEMS传感器被部署于其中的现场环境中校准MEMS传感器。

3.如权利要求1所述的方法,其中激发MEMS传感器包括将电脉冲施加到MEMS传感器的多个电极,所述电脉冲引起MEMS传感器的挠曲的振动和振铃。

4.如权利要求3所述的方法,其中测量MEMS传感器的响应包括测量由MEMS传感器的激发所产生的MEMS传感器的机械响应,所述机械响应是MEMS传感器的挠曲的振动和振铃,所述机械响应被测量为与所述挠曲随时间的振动和振铃相对应的电压,使用MEMS传感器的电极来测量所述电压。

5.如权利要求4所述的方法,其中确定MEMS传感器的参数包括将阻尼正弦函数拟合到与所述挠曲随时间的振动和振铃相对应的所述电压,以确定所述挠曲的共振频率和Q值。

6.如权利要求5所述的方法,其中校准MEMS传感器包括基于所述挠曲的共振频率和Q值,通过校准MEMS传感器的挠曲的物理位移与MEMS传感器的加速度之比来校准MEMS传感器的机械响应,由MEMS传感器的处理器来校准MEMS传感器的机械响应。

7.如权利要求1所述的方法,其中激发MEMS传感器包括将电扫描施加到MEMS传感器的多个电极,所述电扫描引起MEMS传感器的挠曲的振动。

8.如权利要求7所述的方法,其中测量MEMS传感器的响应包括测量由MEMS传感器的激发所产生的MEMS传感器的电气响应,所述电气响应被测量为由所述挠曲的振动所产生的交流AC电压,使用MEMS传感器的电极来测量所述电压。

9.如权利要求1所述的方法,其中测量MEMS传感器的响应包括测量MEMS传感器的机械响应和MEMS传感器的电气响应,

所述机械响应被测量为与MEMS传感器的挠曲随时间的振动和振铃相对应的电压,其中所述挠曲随时间的振动和振铃由电脉冲引起;

所述电气响应被测量为由MEMS传感器的挠曲的振动所产生的交流AC电压,其中所述挠曲的振动由电扫描引起;

并且其中校准MEMS传感器包括基于已测量的MEMS传感器的机械响应和电气响应来校准被表达为MEMS传感器的电压与加速度之比的MEMS传感器的整体灵敏度。

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