[发明专利]激光处理的导电衬底及其预先处理方法有效

专利信息
申请号: 201180071433.0 申请日: 2011-06-08
公开(公告)号: CN103563198B 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: N.赞特;E.古斯塔夫森;R.维图伊斯;R.加斯帕里尼;F.格雷尤特 申请(专利权)人: ABB研究有限公司
主分类号: H02G5/06 分类号: H02G5/06;B23K26/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 柯广华,汤春龙
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 激光 处理 导电 衬底 及其 预先 方法
【权利要求书】:

1.一种制造导体组件(26)的方法,所述导体组件包含导电衬底(12)和非金属材料(14),所述方法包括:

- 预先处理所述导电衬底(12),其方式是通过将所述衬底(12)放置在激光源(16)的激光范围中;以及通过用来自所述激光源(16)的激光(24)照射所述衬底(12)的表面(18),由此在所述衬底表面(18)上形成微结构(20),其中所述微结构(20)具有如下项中的至少一项:

a)至少0.2μm-1的I/Ra比率,I是表面指数,Ra是平均粗糙度;

b)至少0.03μm-1的I/Rz比率,I是表面指数,Rz是平均峰到谷距离;以及

- 将所述非金属材料(14)接合到所述导电衬底(12)的所述表面(18),其中所述接合包含将所述非金属材料(14)模压、喷涂、挤压、浇铸在所述导电衬底(12)上中的一项,其中:

所述导电衬底(12)是适合于承载高压电力系统(700)中标称电流的核心导体。

2.如权利要求1所述的方法,其中所述微结构(20)具有小于10μm的平均粗糙度Ra。

3.如权利要求1至2中任一项所述的方法,其中所述导电衬底(12)是适合于承载高压电力系统(700)中标称电流的核心导体,所述标称电流是在0.1kA与250kA之间的电流。

4.如权利要求1至2中任一项所述的方法,其中所述激光源(16)是具有至少20瓦平均功率输出的连续激光源或具有至少20瓦平均功率输出的脉冲激光源。

5.如权利要求4所述的方法,其中所述激光源(16)是具有40kHz到50kHz脉冲频率的脉冲激光源。

6.如权利要求1至2中任一项所述的方法,其中所述非金属材料(14)是电绝缘的,并且包含聚合复合物或热塑材料中的至少一种。

7.如权利要求1至2中任一项所述的方法,其中所述导电衬底(12)是插入物(12,603),并且其中所述非金属材料(14)被接合到所述衬底的表面,使得所述衬底至少部分陷入在所述非金属材料(14)中。

8.一种绝缘体-导体组件(26,600)包括:

- 导电衬底(12),包括:衬底表面(18),其配置用于在其上接合非金属材料(14),其中所述衬底表面(18)包含通过用激光(24)照射可获得的激光引发的微结构(20),其中所述微结构(20)具有如下项中的至少一项:

a)至少0.2μm-1的I/Ra比率,I是表面指数,Ra是平均粗糙度;

b)至少0.03μm-1的I/Rz比率,I是表面指数,Rz是平均峰到谷距离;以及

- 接合在所述衬底表面(18)上的电绝缘材料的绝缘体本体(14, 602),其中:

通过模压、喷涂、挤压、浇铸所述非金属材料(14)中的一项将所述非金属材料(14)接合到所述导电衬底(12)的所述表面(18),并且其中:

所述导电衬底(12)是适合于承载高压电力系统(700)中标称电流的核心导体。

9.如权利要求8所述的绝缘体-导体组件,其中所述微结构具有小于10μm的平均粗糙度Ra。

10.如权利要求8至9中任一项所述的绝缘体-导体组件,所述标称电流是在0.1kA与250kA之间的电流。

11.如权利要求8至9中任一项所述的绝缘体-导体组件,包括:金属插入物(12,603),其供发电机电路断路器或气体绝缘的开关装置站(700)的固体绝缘部件(704,706,712,714)使用,所述金属插入物包含所述导电衬底。

12.如权利要求8至9中任一项所述的绝缘体-导体组件(26,600),其中所述绝缘体本体(14,602)包含聚合复合物或热塑材料中的至少一种。

13.如权利要求8至9中任一项所述的绝缘体-导体组件(26,600),其中所述导电衬底(12,603)是插入物,并且其中所述绝缘体本体(14,602)被接合到所述衬底的表面,使得所述衬底至少部分陷入在所述绝缘体本体(14)中。

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