[发明专利]具有半导体器件的基台的半导体单元有效

专利信息
申请号: 201180071547.5 申请日: 2011-06-17
公开(公告)号: CN103620764B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 亚历山大·奥夫契尼可夫;阿列克谢·科米萨诺夫;伊格尔·贝尔谢夫;斯卫特兰德·图德洛夫 申请(专利权)人: IPG光子公司
主分类号: H01L23/34 分类号: H01L23/34;H01L23/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 赵伟
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 半导体器件 半导体 单元
【权利要求书】:

1.一种半导体单元,包括:底座,与底座间隔开的芯片,沉积于底座项部上并与芯片耦合的散热导电银层,其中所述底座和所述银层确定了基台。

2.根据权利要求1所述的半导体单元,还包括位于银层和芯片之间、在银层项部上的硬焊料。

3.根据权利要求2所述的半导体单元,其中所述银层配置有用于确定向基台提供与芯片的热膨胀系数实质上相匹配的累积热膨胀系数的厚度,所述基台包含底座、银层和焊料层。

4.根据权利要求2所述的半导体单元,还包括应力释放层,所述应力释放层由弹性延展材料制成、并且位于硬焊料和芯片的有源区之间。

5.根据权利要求4所述的半导体单元,其中所述应力释放层具有紧邻焊料层的有纹理表面。

6.根据权利要求5所述的半导体单元,其中所述应力释放层的有纹理表面配置有分隔开的突出部。

7.根据权利要求1所述的半导体单元,其中从包括以下内容的组中选择芯片,所述组包括:两端子、三端子、四端子和多端子半导体器件及其组合。

8.根据权利要求7所述的半导体单元,其中所述两端子器件包含高功率激光二极管。

9.一种制造半导体单元的方法,包括:

提供底座,

在底座项部上沉积散热导电银层;以及

高温下将底座和银层焊接到芯片上。

10.根据权利要求9所述的方法,还包括在银层和芯片之间提供硬焊料层。

11.根据权利要求10所述的方法,还包括将银层配置有用于向基台提供与芯片的热膨胀系数实质上相匹配的累积热膨胀系数的厚度,所述基台包含底座、银层和焊料层,其中所述匹配的系数提供作用于芯片上的减小的机械应力。

12.根据权利要求10所述的方法,还包括在焊料层和芯片的有源区之间提供由可延展材料制成的弹性应力释放层。

13.根据权利要求12所述的方法,还包括向应力释放层提供背对芯片的有源区的有纹理表面。

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