[发明专利]包括用于将数据从活动存储器管芯拷贝至空闲存储器管芯的存储器模块拷贝引擎的存储器模块

说明书

背景技术

在计算领域中，存储器模块通常用于存储由处理器访问的程序代码和数据。本领域已知的一种常见类型存储器模块是双列直插式存储器模块（DIMM）。如今，典型的存储器模块包括动态随机存取存储器（DRAM）集成电路（IC）。存储器IC（也称为存储器管芯）设置在封装中，封装附接至存储器模块，并且存储器模块插入计算机系统的存储器插槽中。

有时，存储器管芯会遭受数据错误并且不正确保持之前已存储的数据。用于检测和校正存储器数据错误的各种技术是已知的。

附图说明

附图图示本发明的示例、实现和配置，而不图示本发明本身。

图1示出计算机系统实现的示例，该计算机系统实现包括具有集成的存储器控制器的处理器和三个存储器通道，每个存储器通道具有三个存储器模块。

图2示出计算机系统的包括处理器、存储器控制器和存储器模块的一部分。

图3示出在子排列（sub-rank）空闲操作以后图2的计算机系统的部分。

图4示出计算机系统的一部分，该部分包括具有联接至存储器模块的集成存储器控制器的处理器，存储器模块的每列存储器管芯包括存储器模块拷贝引擎。

图5示出在“列内”空闲操作以后图4的计算机系统的部分。

图6、图7和图8是示出示例方法的流程图。

具体实施方式

在前面的描述中，阐述许多细节，以提供对本文公开的示例的理解。然而，本领域技术人员将理解，这些示例可以在没有这些细节的情况下实施。尽管已经公开有限数目的示例，但是本领域技术人员将领会由此带来的许多修改和变化。希望，所附权利要求覆盖落入这些示例的真正精神和范围内的这种修改和变化。

本文提供的示例涉及在活动存储器管芯出故障或变得不可靠时部署空闲存储器管芯。根据本文公开的示例，从故障管芯向空闲管芯拷贝数据，然后故障管芯退出（retired），并且空闲管芯变成活动管芯。

本领域的一些配置提供空闲存储器模块。如果存储器模块开始出故障或已出故障，那么存储器控制器在空闲存储器模块中映射并使空闲存储器模块活动，并且使正出故障或已出故障的存储器模块退出。一般来说，退出的存储器模块上的仅仅单个存储器管芯经历存储器错误，因此该存储器模块上的许多好的存储器管芯也被退出。

已经有在存储器模块上提供更多设备并减少计算机系统中的存储器模块总数的趋势。两种技术正在加速此趋势，即3D堆叠（3DS）技术和硅通孔（TSV）技术。3DS技术允许将单独的存储器管芯夹在一起成具有4、8、16或更多个管芯层的结构，并且TSV技术允许信号在管芯层之间电联接。然后，管芯的堆叠被设置在单个封装内。因此，3DS技术和TSV技术能够提高存储器密度16倍或以上，而不增加在存储器模块上提供的封装的数量。

如上面提到的，由于存储器模块上的单个存储器管芯已经经历存储器错误，所以使整个存储器模块空闲的过程经常导致好的存储器管芯被退出。本文公开的示例适于通过将管芯空闲的粒度移动到存储器模块内以及还移动到具有堆叠的存储器管芯的封装内来发展技术。

图1示出计算机系统10的实现示例。计算机系统10包括处理器12。与现代处理器共同的是，处理器12包括集成的存储器控制器14。然而，如在后面的图中示出的，还可以使用外部存储器控制器。存储器控制器14包括错误检测、校正和清理（scrubbing）单元16，该错误检测、校正和清理单元16能够在正常的存储器存取期间检测并校正错误。单元16还能够通过扫描存储器查找错误并校正被发现的任何可校正错误，来主动地对存储器进行清理。

存储器控制器14支持三个存储器通道，并且每个存储器通道具有三个存储器模块，如存储器模块18。存储器通道能够以独立模式或者锁步模式操作。通常，存储器模块会被实现为插入存储器插槽内的双列直插式存储器模块（DIMM）。注意，将存储器控制器16联接至存储器模块的信号线包括本领域已知的系统数据信号、地址信号、时钟信号和控制信号，还包括下面将更详细地讨论的拷贝信号。