[发明专利]角落切除遮罩在审
申请号: | 201180072988.7 | 申请日: | 2011-08-25 |
公开(公告)号: | CN103781935A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | M·哈尼卡;R·林德伯格;C·灿格尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C16/04;C23C8/04;C23C10/04;C23C2/00;C23C4/02;C23C4/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 角落 切除 | ||
1.一种用以沉积层于矩形基板(100)上的遮罩结构(140),包括:
遮罩框,用于在层沉积过程中遮盖基板的边缘(120),其中所述遮罩框包括至少两个遮罩框侧边部分(340),于所述至少两个遮罩框侧边部分之间的角落区域(342)形成角落;
其中所述遮罩框以与所述矩形基板的边缘重迭的方式成形,使得位于所述遮罩框侧边部分的第一重迭宽度大于位于所述角落区域的第二重迭宽度。
2.如权利要求1所述的遮罩结构,其特征在于,所述遮罩框具有至少一开口,该开口在所述角落区域(342)具有凸出,一般在每个角落区域具有凸出。
3.如权利要求1-2的任一项所述的遮罩结构,其特征在于,所述第一重迭(WS)为2毫米至8毫米,一般为3毫米至6毫米。
4.如权利要求1-3的任一项所述的遮罩结构,其特征在于,所述第二重迭(WC)为0.0毫米至4毫米,一般为1毫米至3毫米。
5.如权利要求1-4的任一项所述的遮罩结构,其特征在于,所述角落区域(342)具有长度(L)和/或宽度(H),所述长度(L)和/或宽度(H)为0.5厘米至10厘米,一般为2厘米至6厘米。
6.如权利要求1-5的任一项所述的遮罩结构,其特征在于,所述角落区域(342)具有长度(L)和/或宽度(H),所述长度(L)和/或宽度(H)为所述基板(100)的对应长度和/或宽度的0.5%至5%。
7.如权利要求1至6的任一项所述的遮罩结构,其特征在于,所述至少两个遮罩框侧边部分(340)为四个遮罩框侧边部分,所述遮罩结构还包括:
至少一条状部(540),所述至少一条状部连接所述四个遮罩框侧边部分中的两个遮罩框侧边部分,其中于另外的角落区域(342)形成另外的角落,其中所述条状部在角落区域的宽度小于在条状部侧边部分的宽度。
8.如权利要求1至7的任一项所述的遮罩结构,其特征在于,在所述角落区域的角落具有70°至90°的角度。
9.如权利要求1至8任一项所述的遮罩结构,其特征在于,在与所述矩形基板(100)的表面平行的平面处提供所述重迭处。
10.如权利要求1至9的任一项所述的遮罩结构,其特征在于,所述遮罩框包括四个角落部分(601,603,606,608)及至少四个侧边部分(602,604,605,607,609,610),一般是六个侧边部分,这些角落部分与这些侧边部分用于彼此接合以形成所述遮罩框。
11.一种用以沉积层于矩形基板(100)上的设备(600),包括:
腔室(612),用于在所述腔室中进行层沉积,
位于所述腔室中的如权利要求1至10的任一所述的遮罩结构(140);以及
沉积源(630),用以沉积形成所述层的材料。
12.如权利要求11所述的设备,还包括:
传输系统(620),用于传输支撑所述基板(100)的载台。
13.一种用以沉积层于矩形基板(100)之上的方法,包括:
以遮罩遮盖基板边缘(120),其中在所述基板角落处的遮盖宽度小于在所述基板的侧边的遮盖宽度;以及
沉积所述层的材料于基板上,特别是在未被所述遮罩遮盖的基板区域中。
14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述遮罩为如权利要求1至9的任一项所述的遮罩结构。
15.如权利要求13及14的任一项所述的方法,其特征在于,沉积步骤通过物理气相沉积方法(PVD)、化学气相沉积方法(CVD)或其组合来提供。
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