[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

串联连接的第1及第2自关断元件（11，12）；

第1及第2二极管（D1，D2），该第1及第2二极管（D1，D2）的阴极与所述第1及第2自关断元件的第1电极相连，其阳极与第2电极相连；

第3二极管（D3）；以及

壳体（1），该壳体（1）收纳所述第1及第2自关断元件以及所述第1至第3二极管，

所述第3二极管在所述壳体内与所述第1及第2自关断元件、以及所述第1及第2二极管均绝缘。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

第1电极用端子（21），该第1电极用端子（21）与所述第1关断元件的第1电极电连接，并配置成能在所述壳体外部的第1部位与外部布线相连接；

第2电极用端子（22），该第2电极用端子（22）与所述第2关断元件的第2电极电连接，并配置成能在所述壳体外部的第2部位与外部布线相连接；

公共电极用端子（24），该公共电极用端子（24）与所述第1自关断元件的第2电极以及所述第2自关断元件的第1电极电连接，并配置成能在所述壳体外部的第3部位与外部布线相连接；

阳极用端子（23），该阳极用端子（23）与所述第3二极管的阳极电连接，并配置成能在所述壳体外部的第4部位与外部布线相连接；以及

阴极用端子（25），该阴极用端子（25）与所述第3二极管的阴极电连接，并配置成能在所述壳体外部的第5部位与外部布线相连接。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述壳体包含俯视时由四边构成的矩形壳体，

所述第1及第2部位包含俯视时所述壳体的规定边、即第1边附近的区域部分，

所述第3至第5部位包含俯视时与所述第1边不同的第2边附近的区域部分。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1及第2边包含彼此相对的边。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

第1电源用电容器（C11）能连接在所述第1电极用端子与所述阳极用端子之间，

第2电源用电容器（C12）能连接在所述第2电极用端子与所述阴极用端子之间，

所述第1部位及所述第4部位包含距离与所述第1边和第2边相邻的第3边比较近的部分，

所述第2部位及所述第5部位包含距离与所述第3边相对的第4边比较近的部分。

6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1及第2边包含彼此相邻的边。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1及第2自关断元件包含第1及第2绝缘栅型晶体管（IGBT），

所述第1电极包含集电极电极，

所述第2电极包含发射极电极。

8.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1及第2自关断元件包含场效应晶体管（FET），

所述第1电极包含漏极电极，

所述第2电极包含源极电极。