[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其为二极管区和绝缘栅双极性晶体管区被形成在同一半导体基板上的半导体装置，其中，

二极管区具备：

多个第一导电型的阳极层，其露出于半导体基板的表面且被相互隔离；

第一导电型的二极管体层，其被形成于阳极层的背面侧，且与阳极层相比，第一导电型的杂质浓度较低；

第二导电型的二极管漂移层，其被形成于二极管体层的背面侧；

第二导电型的阴极层，其被形成于二极管漂移层的背面侧，且与二极管漂移层相比，第二导电型的杂质浓度较高，

绝缘栅双极性晶体管区具备：

第二导电型的发射层，其露出于半导体基板的表面；

多个第一导电型的体接触层，其露出于半导体基板的表面且被相互隔离；

第一导电型的绝缘栅双极性晶体管体层，其被形成于发射层以及体接触层的背面侧，且与体接触层相比，第一导电型的杂质浓度较低；

第二导电型的绝缘栅双极性晶体管漂移层，其被形成于绝缘栅双极性晶体管体层的背面侧；

第一导电型的集电层，其被形成于绝缘栅双极性晶体管漂移层的背面侧；

绝缘栅双极性晶体管栅电极，其通过绝缘膜而与将发射层和绝缘栅双极性晶体管漂移层分离的范围内的绝缘栅双极性晶体管体层对置，

阳极层具备至少一个以上的第一阳极层，

第一阳极层至少被形成在接近绝缘栅双极性晶体管区的位置处，

第一阳极层各自的半导体基板平面方向上的面积，大于最接近二极管区的体接触层的半导体基板平面方向上的面积。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

阳极层还具备被形成在与第一阳极层相比距绝缘栅双极性晶体管区较远的位置处的、至少一个以上的第二阳极层，并且，第二阳极层各自的半导体基板平面方向上的面积，小于第一阳极层各自的半导体基板平面方向上的面积。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

第二阳极层各自的半导体基板平面方向上的面积，大于最接近二极管区的体接触层的半导体基板平面方向上的面积。