[发明专利]石墨烯缺陷的改性

说明书

相关申请的交叉引用

本申请涉及下面列出的申请：当前共审的在YEAR,MONTH,DATE提交的发明人为Seth Miller的标题为“GRAPHENE DEFECT ALTERATION”的PCT专利申请No.PCT/US2011/xxxxx（代理人案号1574-0040）；以及当前共审的在YEAR,MONTH,DATE提交的发明人为Seth Miller的标题为“GRAPHENE DEFECT DETECTION”的PCT/US2011/xxxxx（代理人案号1574-0041）。

背景技术

除非在这里另有所述，否则该部分中描述的材料不是本申请中的权利要求的现有技术并且不会由于包括在该部分中而被承认为现有技术。

石墨烯是通常可以包括键合碳原子的一个原子厚的层。可以通过在诸如铜的另一材料的顶部上生长碳原子来形成石墨烯。铜可以被插入到石英管中，进行加热并退火。CH₄和H₂的气体混合物可以然后流入到管中并且然后可以利用流动的H₂来冷却铜以形成石墨烯。

发明内容

在一些示例中，一般性地描述了一种用于使基板上的层中的缺陷区域至少部分地改性的方法，其中，该层包括石墨烯。一些方法可以包括接收位于基板上的所述层，其中，该层可以包括位于石墨烯中的至少一些缺陷区域。缺陷区域可以露出基板的暴露区域。所述方法也可以包括在充分的反应条件下使基板发生反应以在暴露区域中的至少一个中产生至少一个阳离子区域。所述方法可以进一步包括将石墨烯氧化物粘附到所述至少一个阳离子区域以产生石墨烯氧化物层。所述方法可以进一步包括使石墨烯氧化物层发生还原以在所述层中产生至少一个改性缺陷区域。

在一些示例中，一般性地描述了用于使基板上的层中的缺陷区域至少部分地改性的系统，其中所述层包括石墨烯。在各种示例中，所述系统可以包括腔室和被构造为与所述腔室连通的容器。腔室可以被构造为用于接收位于基板上的层，其中所述层可以包括至少一些石墨烯，并且可以至少包括位于石墨烯中的一些缺陷区域。所述缺陷区域可以用于露出基板的暴露区域。腔室和容器可以被构造为用于在充分的反应条件下使基板发生反应以在暴露区域中的至少一个中产生至少一个阳离子区域。腔室和容器可以被构造为将石墨烯氧化物粘附到至少一个阳离子区域以产生石墨烯氧化物层。腔室和容器可以进一步构造为使石墨烯氧化物层发生还原以在所述层中产生至少一个改性缺陷区域。

在一些示例中，一般性地描述了处理层。该层可以包括位于基板上的至少一些石墨烯。所述层可以包括位于石墨烯中的至少一个缺陷区域。该缺陷区域可以用于露出基板的阳离子区域。所述层可以进一步包括粘附到阳离子区域的还原后的石墨烯氧化物层。

上面的概述仅是说明性的且并不旨在以任意方式表示限制。除了如上描述的说明性方面、实施方式和特征，通过参考附图和下面的详细描述将显见其他方面、实施方式和特征。

附图说明

在本说明书的结论部分中特别地指出并且明确地要求保护主题。根据结合附图进行的以下描述和所附权利要求书，本公开的以上和其它特征将变得更充分地显而易见。要理解的是，这些附图仅描述了根据本公开的多个实施方式，因此不能被认为是对本公开的范围的限制，将通过使用附图来利用附加的特征和细节描述本公开。在附图中：

图1示出了能够用于实施石墨烯缺陷改性的示例系统；

图2描述了用于实施石墨烯缺陷改性的示例处理的流程图；

图3示出了能够用于实施石墨烯缺陷改性的计算机程序产品；以及

图4是示出被布置为实施石墨烯缺陷改性的示例计算装置的框图；

上述附图是根据这里描述的至少一些实施方式布置的。

具体实施方式

在下面的详细说明中，参照附图，这些附图形成了本说明书的一部分。在附图中，除非上下文另行说明，否则相似的符号通常标识相似的部件。在具体说明书、附图和权利要求中描述的例示性实施方式不意味着为限制。在不脱离本文表现的主题的精神或范围的情况下，可利用其它实施方式，并且可以进行其它改变。容易理解的是，如本文总体描述的和附图例示的本公开的各个方面，可以按照各种不同的配置来布置、替换、组合和设计，其在这里是明确地设想到的。

除其它因素外，本公开被一般性地描绘为与用于移动装置的使用推荐有关的方法、设备、系统、装置和计算机程序产品。