[发明专利]用于形成半导体电极的导电组合物

权利要求书

1.一种组合物的制造方法，所述的组合物用于在半导体基体表面形成电极，包括下述的加工过程：加入包括熔剂颗粒、导电材料颗粒和有机介质的原料(100)；用加压流体分散法混合所述的原料，所述的混合制造了导电组合物(102)；以及取出所述的导电组合物(104)；其中所述的导电材料颗粒和熔剂颗粒都包括原始形态和化学性能，且在所述的组合物中所述的原始形态和化学性能都被保留。

2.权利要求1所述的方法，其中，所述的熔剂颗粒包括玻璃粉，所述的导电材料颗粒包括银颗粒，且所述的有机介质包括一种或多种有机溶剂和一种或多种聚合物组分。

3.权利要求2所述的方法，其中，在所述的导电组合物中的玻璃粉的含量基于所述的组合物的质量在2.0-8.0质量百分比的范围内，在所述的组合物中的银颗粒的含量基于所述的组合物的质量在40-90质量百分比的范围内，在所述的组合物中的有机溶剂的总含量基于所述的组合物的质量在7.2-50.0质量百分比的范围内，且在所述的组合物中的聚合物组分的总含量基于所述的组合物的质量在0.9-6.0质量百分比的范围内。

4.权利要求1所述的方法，其中所述的加压流体分散法包括控制水力空化。

5.权利要求4所述的方法，其中所述的导电组合物中的熔剂颗粒的尺寸在0.1-10.0微米的范围内。

6.权利要求4所述的方法，其中所述的导电组合物中的导电材料颗粒的尺寸在0.1-10.0微米的范围内。

7.权利要求4所述的方法，其中所述的控制水力空化引起了该熔剂颗粒和导电材料颗粒遍及导电组合物的基本均匀分布。

8.权利要求1所述的方法，其中所述的原料进一步包括添加剂，所述的添加剂包括一种或多种黏度调节剂，或一种触变剂。

9.一种导电组合物(208)，包括原料，所述的原料包括熔剂颗粒(200)、导电材料颗粒(202)和有机介质(204)，用加压流体分散法混合所述的原料(206)，这样在所述的组合物中的导电材料颗粒的尺寸在0.1-10.0微米的范围内；其中所述的导电材料颗粒和熔剂颗粒都包括原始形态和化学性能，且在所述的组合物中所述的原始形态和化学性能都被保留。

10.权利要求9所述的导电组合物，进一步包括，用加压流体分散法混合所述的原料，这样在所述的组合物中的熔剂颗粒的尺寸在0.1-10.0微米的范围内。

11.权利要求9所述的导电组合物，其中，所述的熔剂颗粒包括玻璃粉，所述的导电材料颗粒包括银颗粒，且所述的有机介质包括一种或多种有机溶剂和一种或多种聚合物组分。

12.权利要求11所述的导电组合物，其中，在所述的组合物中的玻璃粉的含量基于所述的组合物的质量在2.0-8.0质量百分比的范围内，在所述的组合物中的银颗粒的含量基于所述的组合物的质量在40-90质量百分比的范围内，在所述的组合物中的有机溶剂的总含量基于所述的组合物的质量在7.2-50.0质量百分比的范围内，且在所述的组合物中的聚合物组分的总含量基于所述的组合物的质量在0.9-6.0质量百分比的范围内。

13.权利要求9所述的导电组合物，其中所述的加压流体分散法包括控制水力空化，所述的空化引起了熔剂颗粒和导电材料颗粒遍及组合物的基本均匀分布。

14.权利要求9所述的导电组合物，其中所述的原料进一步包括添加剂，所述的添加剂包括一种或多种黏度调节剂，或一种触变剂。

15.一种导电组合物(208)，包括，熔剂颗粒(200)；导电材料颗粒(202)；和有机介质(204)，其中，在所述导电组合物中，所述导电材料颗粒和熔剂颗粒保留原始形貌，在所述的组合物中的导电材料颗粒的尺寸在0.1-10.0微米的范围内。

16.权利要求15所述的导电组合物，其中在所述的组合物中的熔剂颗粒的尺寸在0.1-10.0微米的范围内。

17.权利要求15所述的导电组合物，其中所述的导电材料颗粒和熔剂颗粒遍及所述的组合物被均匀地分散。

18.权利要求15所述的导电组合物，其中所述的熔剂颗粒包括玻璃粉，所述的导电材料颗粒包括银颗粒，且所述的有机介质包括一种或多种有机溶剂和一种或多种聚合物组分。

19.权利要求15所述的导电组合物，进一步包括添加剂，所述的添加剂包括一种或多种黏度调节剂，或一种触变剂。