[发明专利]制造氮化物半导体发光器件的方法以及由此制造出的氮化物半导体发光器件

权利要求书

1.一种制造氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括步骤：

在衬底上形成发光结构，所述发光结构包括第一导电类型氮化物半导体层和第二导电类型氮化物半导体层，在所述第一导电类型氮化物半导体层和所述第二导电类型氮化物半导体层之间插入了有源层；

形成在衬底上顺序堆叠的第一导电类型氮化物半导体层、有源层和第二导电类型氮化物半导体层；

形成第一电极以连接到所述第一导电类型氮化物半导体层；

在所述第二导电类型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜，以暴露所述第二导电类型氮化物半导体层的一部分；以及

在所述第二导电类型氮化物半导体层的被所述光致抗蚀剂膜暴露的部分上连续地形成反射金属层和阻挡金属层作为第二电极，并去除所述光致抗蚀剂膜。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述反射金属层和阻挡金属层的步骤包括：

形成所述反射金属层；以及

在保持所述光致抗蚀剂膜的状态下，连续地形成所述阻挡金属层以覆盖所述反射金属层的顶面和侧面。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成所述反射金属层和阻挡金属层的步骤包括：

通过电子束蒸发来形成所述反射金属层；以及

通过溅射沉积来形成所述阻挡金属层。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成所述反射金属层和阻挡金属层的步骤包括：

使用具有第一堆叠覆盖范围的电子束蒸发来沉积所述反射金属层；以及

使用具有比所述第一堆叠覆盖范围大的第二堆叠覆盖范围的溅射来沉积所述阻挡金属层。

5.如权利要求1所述的方法，其中形成所述反射金属层和阻挡金属层的步骤包括：

使用具有第一堆叠覆盖范围的电子束蒸发来沉积所述反射金属层；以及

使用具有比所述第一堆叠覆盖范围大的第二堆叠覆盖范围的电子束蒸发来沉积所述阻挡金属层。

6.如权利要求1所述的方法，其中将所述阻挡金属层形成为覆盖所述反射金属层的顶面和侧面，以使得所述阻挡金属层的覆盖所述顶面的部分比所述阻挡金属层的覆盖所述侧面的部分厚。

7.如权利要求1所述的方法，还包括在所述发光结构的整个顶面上形成钝化层的步骤。

8.如权利要求1所述的方法，其中由负性光致抗蚀剂来形成所述光致抗蚀剂膜。

9.如权利要求1所述的方法，还包括在所述阻挡金属层上形成接合金属层的步骤。

10.一种氮化物半导体发光器件，包括：

第一导电类型氮化物半导体层和第二导电类型氮化物半导体层；

介于所述第一导电类型氮化物半导体层与所述第二导电类型氮化物半导体层之间的有源层；

电连接到所述第一导电类型氮化物半导体层的第一电极；以及

第二电极，其包括反射金属层和阻挡金属层，所述反射金属层形成在所述第二导电类型氮化物半导体层上，所述阻挡金属层形成为覆盖所述反射金属层的顶面和侧面，所述阻挡金属层的覆盖所述顶面的部分比所述阻挡金属层的覆盖所述侧面的部分厚。

11.如权利要求10所述的氮化物半导体发光器件，其中所述第一导电类型氮化物半导体层、所述第二导电类型氮化物半导体层和所述有源层被形成在具有透光性和电绝缘性的衬底上。

12.如权利要求10所述的氮化物半导体发光器件，还包括形成在所述第二电极上的导电支撑衬底，

其中在与所述第二导电类型氮化物半导体层相反的方向上将所述第一电极形成在所述第一导电类型氮化物半导体层的表面上。

13.如权利要求10所述的氮化物半导体发光器件，还包括穿透所述有源层和所述第二导电类型氮化物半导体层以连接到所述第一导电类型氮化物半导体层的至少一个导电通孔，

其中所述第一电极连接到所述导电通孔并暴露于外部。

14.如权利要求10所述的氮化物半导体发光器件，还包括形成在所述阻挡金属层上的接合金属层。