[发明专利]波长转换发光二极管芯片及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201180073508.9 申请日: 2011-08-17
公开(公告)号: CN103797594A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 金龙泰;井上登美男;金制远;筒井毅;李锺昊;蔡昇完 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 陈源;张帆
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 波长 转换 发光二极管 芯片 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种制作波长转换LED芯片的方法,包括步骤:

将多个LED芯片附接至临时支撑板的上表面的芯片排列区域,使得形成了至少一个电极的LED芯片的表面指向向上的方向;

在各个LED芯片的电极上形成导电凸块;

在所述芯片排列区域内形成含磷光体树脂密封部件,以覆盖所述导电凸块;

抛光所述含磷光体树脂密封部件;

通过切割在各LED芯片之间提供的含磷光体树脂密封部件来形成所述波长转换LED芯片,所述波长转换LED芯片包括波长转换层,所述波长转换层由所述含磷光体树脂密封部件获得并且形成在所述波长转换LED芯片的侧表面和上表面上;以及

从所述波长转换LED芯片去除所述临时支撑板。

2.如权利要求1所述的方法,其中,从至少一片晶片获得所述多个LED芯片,并且通过特定的发射光特性的标准来选择所述多个LED芯片。

3.如权利要求2所述的方法,其中,所述发射光特性为发射光的峰值波长和光输出中的至少之一。

4.如权利要求1所述的方法,其中,所述临时支撑板包括围绕所述芯片排列区域的堤堰结构。

5.如权利要求4所述的方法,其中,所述堤堰结构的高度至少高于包括形成在芯片中的导电凸块在内的芯片的高度。

6.如权利要求1所述的方法,其中,附接至所述临时支撑板的LED芯片之间的距离大于位于所述LED芯片的侧表面上的光波长转换层部分的厚度的两倍。

7.如权利要求1所述的方法,其中,所述临时支撑板为UV可固化PET膜。

8.如权利要求1所述的方法,其中,通过从以下方法选择的工艺来执行形成所述含磷光体树脂密封部件的步骤:分配法、丝网印刷法、旋涂法、喷涂法和传递模塑法。

9.如权利要求1所述的方法,其中,所述多个LED芯片包括:绝缘衬底;半导体外延层,其包括顺序形成在所述绝缘衬底上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层;以及分别形成在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层上的第一电极和第二电极。

10.如权利要求1所述的方法,其中,所述多个LED芯片包括:导电衬底;半导体外延层,其包括顺序形成在所述导电衬底上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层;以及形成在所述第二导电半导体层上的电极。

11.一种波长转换LED芯片,包括:

衬底;

半导体外延层,其包括顺序形成在所述衬底上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层;

至少一个电极,其形成在所述半导体外延层上;

导电凸块,其形成在所述至少一个电极的表面上;以及

波长转换层,其形成为围绕所述半导体外延层以及所述衬底的侧表面,所述波长转换层包括含至少一种类型磷光体粉末的树脂,并且所述波长转换层的上表面形成在与所述导电凸块的上表面相同的平面水平。

12.如权利要求11所述的波长转换LED芯片,其中,所述衬底为绝缘衬底,并且所述至少一个电极包括分别形成在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层上的第一电极和第二电极。

13.如权利要求11所述的波长转换LED芯片,其中,所述衬底为导电衬底,并且所述至少一个电极包括形成在所述第二导电半导体层上的电极。

14.一种发光器件封装件,包括通过如权利要求1至10中任一项所述的方法制造的波长转换LED芯片。

15.一种表面光源器件,包括:

导光板;以及

LED光源模块,其形成在所述导光板的至少一侧,从而为所述导光板的内部提供光,

其中,所述LED光源模块包括电路板和安装在所述电路板上的LED光源,所述LED光源具有通过如权利要求1至10中任一项所述的方法制造的波长转换LED芯片。

16.一种显示器,包括:

提供图像的图像显示板;以及

背光单元,其包括如权利要求15所述的表面光源器件,用于为所述图像显示板提供光。

17.一种照明器件,包括

LED光源模块;以及

扩散板,其形成在所述LED光源模块上,并且使得从所述LED光源模块入射的光在其上均匀地扩散,

其中,所述LED光源模块包括电路板和安装在所述电路板上的LED光源,所述LED光源具有通过如权利要求1至10中任一项所述的方法制造的波长转换LED芯片。

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