[发明专利]单独和并行地选择EPROM的电路

说明书

背景技术

在喷墨打印头中，熔丝技术已用于N沟道金属氧化物半导体（NMOS）芯片中。在这些NMOS芯片中，选择性地熔断熔丝来对比特进行编程。然而，熔丝技术和以这种方式对熔丝进行编程具有缺点。熔丝相对较大，并且熔丝可能是不可靠的。此外，熔断熔丝可能在编程期间损坏喷墨打印机的喷嘴层，并且在熔丝烧断以后，来自熔丝的金属碎屑可能被吸入墨水中并引起喷墨笔堵塞，从而导致打印质量不佳。

近年来，已经开发出了可擦除可编程只读存储器（EPROM）器件。这些EPROM器件包括行和列的导电栅格，而没有熔丝。取而代之的是，存储器单元位于每个行/列的交叉处。每个存储器单元包括晶体管结构以及两个栅极，这两个栅极由薄的介电层将它们彼此隔开。这些栅极中的一个的是浮置栅极，而另一个是控制栅极或输入栅极。在未编程的存储器单元中，浮置栅极没有电荷，这导致阈值电压低。在经编程的存储器单元中，用电子对浮置栅极进行了充电，并且阈值电压较高。为了对存储器单元进行编程，向控制栅极和漏极施加编程电压（例如，10到16伏）。该编程电压吸引激发的电子到浮置栅极，从而增加了阈值电压。具有较低阈值电压的存储器单元是一个逻辑值，而具有较高阈值电压的存储器单元是另一个逻辑值。

附图说明

图1是示出了EPROM单元的一个示例的图。

图2是示出了EPROM芯片中的层的一个示例的图。

图3是示出使用图2的EPROM芯片的层的EPROM单元的一个示例的图。

图4是示出包括EPROM存储器和相关联的电路的系统的一个示例的图。

图5是示出了EPROM存储器中的EPROM比特的一个示例的图。

图6是示出了具有沟道宽度W的EPROM单元的一个示例的顶视图。

图7是示出了EPROM存储器中的EPROM比特的一个示例的图。

图8是示出了EPROM存储器中的EPROM比特的多级EPROM编码的一个示例的流程图。

图9是示出了包括图4的系统的喷墨打印系统的一个示例的图。

具体实施方式

在下面的详细描述中参考了附图，附图形成了该详细描述的一部分，并且在附图中通过说明的方式示出了在其中可以实践本发明的具体的实施例。就此方面，方向术语，例如“顶部”、“底部”、“前”、“后”、“引导”、“尾随”等，参考附图被描述的定向来使用。因为实施例的组件可以被置于多个不同的定向上，所以是出于说明的目的而绝非限制性的目的来使用方向术语。应当理解的是：可以在不脱离本发明的范围的情况下使用其它实施例并进行结构或逻辑上的变化。因此，下面的详细描述不应被视为具有限制意义，并且本发明的范围由所附的权利要求限定。应当理解的是：除非特别另外指出，否则本文中描述的各个实施例的特征可以互相组合。

EPROM可以在喷墨打印头中用于存储身份（ID）信息。随着智能特征添加到打印机以及随着安全性需求的增加，需要更多的EPROM单元来存储相关信息。该ID信息可以包括：产品类型、序列号、墨滴重量和客户忠诚度/认证信息。然而，增加打印头集成电路管芯上的EPROM单元的数量减少了打印头管芯上可用于其它功能的基板面（real estate）的量或者其导致增加了打印头管芯的尺寸或两者兼而有之，这增加了打印头的成本。出于这些原因以及其它原因，存在对本文中描述的发明的需要。

图1是示出了不包括熔丝并且相对于熔断比特提供了多个优点的EPROM单元20的一个示例的图。诸如EPROM单元20的EPROM单元可以用于消除诸如喷墨打印头系统的系统中的熔丝。

EPROM单元20包括具有源极24、漏极26和沟道28的半导体衬底22，其中沟道28位于源极24和漏极26之间。浮置栅极30位于沟道28上方，并且也被称为控制栅极32的输入栅极32位于浮置栅极30上方。源极24包括N+掺杂区，并且漏极26包括N+掺杂区。沟道28是位于源极24和漏极26的N+掺杂区之间的p掺杂区。

控制栅极32经由位于控制栅极32和浮置栅极30之间的介电材料34电容性耦合到浮置栅极30。控制栅极32处的电压耦合到浮置栅极30。另一层介电材料36布置于沟道28上方的浮置栅极30和衬底22之间。