[发明专利]非平面晶体管鳍状物制造

权利要求书

1.一种方法，包括：

在非平面晶体管的多个晶体管鳍状物上形成共形阻挡材料层；

去除一部分所述共形阻挡材料层，以露出所述多个晶体管鳍状物中的至少一个晶体管鳍状物；

在露出的所述至少一个晶体管鳍状物上执行离子注入；以及

去除所述共形阻挡材料层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成共形阻挡层包括形成共形电介质阻挡材料层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成共形电介质阻挡层包括形成共形电介质阻挡材料层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，去除一部分所述共形阻挡材料层以露出所述多个晶体管鳍状物中的至少一个晶体管鳍状物包括：

对所述共形阻挡材料层的至少一部分上的光致抗蚀剂材料进行构图；

蚀刻没有被所述光致抗蚀剂材料覆盖的区域中的所述共形阻挡材料层；以及

去除所述光致抗蚀剂材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在露出的所述至少一个晶体管鳍状物上执行离子注入包括在露出的所述至少一个晶体管鳍状物上执行成角度的离子注入。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在露出的所述至少一个晶体管鳍状物上执行成角度的离子注入包括在露出的所述至少一个晶体管鳍状物的相反侧壁上执行成角度的离子注入。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在露出的所述至少一个晶体管鳍状物上执行离子注入包括在露出的所述至少一个晶体管鳍状物上执行P型离子注入。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在露出的所述至少一个晶体管鳍状物上执行离子注入包括在露出的所述至少一个晶体管鳍状物上执行N型离子注入。

9.一种方法，包括：

形成具有多个晶体管鳍状物的非平面晶体管；

在所述多个晶体管鳍状物上形成共形阻挡材料层，以使得所述多个晶体管鳍状物中的至少一个晶体管鳍状物由所述共形阻挡材料层覆盖，且所述多个晶体管鳍状物中的至少一个晶体管鳍状物没有由所述共形阻挡材料层覆盖；以及

在没有由所述共形阻挡材料层覆盖的所述至少一个晶体管鳍状物上执行离子注入。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述共形阻挡材料层包括：

在多个晶体管鳍状物上沉积所述共形阻挡材料层；以及

去除一部分所述共形阻挡材料层，以露出所述多个晶体管鳍状物中的至少一个晶体管鳍状物。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，去除一部分所述共形阻挡材料层以露出所述多个晶体管鳍状物中的至少一个晶体管鳍状物包括：

对所述共形阻挡材料层的至少一部分上的光致抗蚀剂材料进行构图；以及

蚀刻没有被所述光致抗蚀剂材料覆盖的区域中的所述共形阻挡材料层。

12.根据权利要求9所述的方法，进一步包括去除所述共形阻挡材料层。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，形成共形阻挡材料层包括形成共形电介质阻挡材料层。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，在露出的所述至少一个晶体管鳍状物上执行离子注入包括在露出的所述至少一个晶体管鳍状物上执行成角度的离子注入。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在露出的所述至少一个晶体管鳍状物上执行成角度的离子注入包括在露出的所述至少一个晶体管鳍状物的相反侧壁上执行成角度的离子注入。

16.根据权利要求9所述的方法，其中，在露出的所述至少一个晶体管鳍状物上执行离子注入包括在露出的所述至少一个晶体管鳍状物上执行P型离子注入。

17.根据权利要求9所述的方法，其中，在露出的所述至少一个晶体管鳍状物上执行离子注入包括在露出的所述至少一个晶体管鳍状物上执行N型离子注入。